氧化铝陶瓷基片
氧化铝陶瓷基片
陶瓷基片，又称陶瓷基板，是以电子陶瓷为基的，对膜电路元件及外贴切元件形成一个支撑底座的片状材料。陶瓷基片具有、电性能高、介电常数和介质损耗低、热导率大、化学、与元件的热膨胀系数相近等主要特点，但陶瓷基片较脆，制成的基片面积较小，成本高。
实际生产和研究应用的陶瓷基片材料有Al2O3、AlN、SiC、BeO、BN、氧化锆和玻璃陶瓷等。Al2O3陶瓷基片虽然热导率不高（20W/m.K），但因其生产工艺相对简单，成本较低，，成为目前应用的陶瓷基片.
一般采用流延成型法制备氧化铝陶瓷基片，96%氧化铝陶瓷基片材料中添加了合适的矿物原料作为助熔剂，烧成温度低到1580℃~1600℃，产品密度即可达3.75g/cm3以上。对于尺寸精度要求较高的产品，可以在烧成后，以激光加工方法，在基片上划线、打孔，精度±0.05mm。
纯度:96%,
颜色:乳白色
尺寸:100x100x1.0mm以内,可以根据客户的要求切割
表面粗糙度:< 0.01um(抛光后); <1um(毛坯)
参数 | 单位 | A476T | |
密度 | g/cm3 | 3.78 | |
硬度（HV） | GPa | 13.9 | |
抗强度 | GPa | 380 | |
热导率 | W/m.K | 26 | |
热膨胀系数 40~400° | m/K | 7.2x10－6 | |
介电常数 | @1MHZ | 9.6 | |
介质损耗角 | @1MHZ | 3.0x10－4 | |
体积电阻率 | @25℃ | Ohm.cm | >1014 |
@300℃ | Ohm.cm | 1.0x1010 | |
@500℃ | Ohm.cm | 1.0x108 | |
供应产品目录：
| MoWTe2 二硒化钨钼晶体 | (Molybdenum tungsten ditelluride) |
| I2 intercalated WSe2 二硒化钨晶体（碘） | I2 intercalated WSe2 |
| ReNbSe2 Crystals 二硒化铌铼晶体 | ReNbSe2 Crystals |
| FeTeSe 硒化碲铁晶体 | (Iron Selenide Telluride) |
| MoWSe2 二硒化钨钼晶体 | (Molybdenum Tungsten Diselenide) |
| 硒化铼铌晶体 | NbReSe2 Crystals |
| SnSe2 二硒化锡晶体 | (Tin diselenide) |
| Bi2Se3 硒化铋晶体-未掺杂 | (Undoped Bismuth Selenide) |
| 三硒化锰（磷掺杂）晶体（99.995%） MnPSe3 | MnPSe3 Crystals |
| 硒化钨晶体（硫掺杂）（99.995%） WSSe | WSSe Crystals |
| 二硒化钨钯晶体（99.995%） PdSe2 | PdSe2 Crystals |
| 硒化铟晶体（99.995%） InSe | InSe Crystals |
| 二硒化钨晶体（99.995%） WSe2 | (Tungsten Diselenide)-N型 |
| 二硒化钼晶体（99.995%） 2H-MoSe2 | (Molybdenum Diselenide)-N型 |
| 三硒化锆晶体（99.995%） ZrSe3 | (Zirconium Triselenide) |
| 硒化锆 ZrSe3 | (Zirconium Triselenide) |
| 硒化金 AuSe | (alpha phase Gold Selenide) |
| 二硒化锆晶体（99.995%） | ZrSe2 (Zirconium Selenide) |
| 二硒化钨晶体（99.995%） | WSe2(Tungsten Diselenide)-P型 |
温馨提示：西安齐岳生物供应产品用于科研，不能用于人体
yyp2021.6.24
氧化铝陶瓷基片
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