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铌酸锂(LiNbO3)光电晶体

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所在地西安市

更新时间:2021-06-24 17:02:31浏览次数:405次

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铌酸锂(LiNbO3)光电晶体
铌酸锂晶体应用于光通信、信息处理、集成光路、图象存储、谐波发生、倍频器件、参量振荡、1064nm激光的倍频,以及四倍频相位匹配装置等方面。如:SAW滤波器、Q-开关、电光调光器、参量振荡器 ,掺有Mg:O的LN晶体,其抗损阈值比纯LN晶体了一倍以上

铌酸锂(LiNbO3)光电晶体

 铌酸锂晶体应用于光通信、信息处理、集成光路、图象存储、谐波发生、倍频器件、参量振荡、1064nm激光的倍频,以及四倍频相位匹配装置等方面。如:SAW滤波器、Q-开关、电光调光器、参量振荡器 ,掺有Mg:OLN晶体,其抗损阈值比纯LN晶体了一倍以上

 

主要性能参数

生长方法

提拉法

晶体结构

三方

晶格常数

a=b=5.148Å     c=13.863 Å

熔点(℃)

1250

居里温度

1140℃

密度(g/cm3

4.64

硬度

5(mohs)

光谱透过波长

0.4-2.9um

射率

no=2.286 ne=2.203 (632.8nm)

非线性系数

d22 = 2.1 d31 = - 4.5 d33 = -0.27 (pmv-1)

电光系数

γ13=8.6,γ22=3.4,γ33=30.8,γ51=28.0,(pmv-1)

光学损坏阈

250 MW/cm2 @ 1064 nm, t ~ 10nsec. 

光谱透过范围  透过率

370~5000nm >68% (632.8nm)

热膨胀系数

a11=15.4×10-6/k,a33=7.5×10-6/k

吸收损耗

@ 1064 nm < 0.1 %/cm 

产品规格

尺寸

等于或小于Ø4″

表面质量

10/5

尺寸公差

Z轴: ±0.3mm 
X轴、Y轴:±0.1mm

平 面 度

v8 (632.8nm)

倒 角

小于0.5mm,45 º±5 º

镀 膜

R<0.2%(1064nm)

晶向精度

Z轴: 5′ 
X、Y轴:<10′

波前畸变

<N4(633nm)

平 行 度

<10′

消 光 比

>400:1(633nm)φ6mm光束

供应产品目录:

 

TlGaS2 硫化镓晶体TlGaS2 crystals
GeS 硫化锗晶体(Germanium Sulphide)
p-type WS2 crystals P型二硫化钨晶体p-type WS2 crystals
GaS 硫化镓晶体(Gallium Sulfide)
HfS2 二硫化铪晶体(Hafnium Disulfide)
WS2 二硫化钨晶体(Tungsten Disulfide)
ReS2 二硫化铼晶体(Rhenium Disulfide)
TiS2 二硫化钛晶体(Titanium Disulfide)
Molybdenum Disulfide (MoS2) 小尺寸二硫化钼晶体 10x10mmMolybdenum Disulfide (MoS2)
n-type WS2 crystals N型二硫化钨晶体n-type WS2 crystals
NiPS3 crystals 三硫化磷镍晶体NiPS3 crystals
In2S3 crystals 三硫化二铟晶体In2S3 crystals
ZrSiS crystals 硫化硅锆晶体ZrSiS crystals
TiS3 三硫化钛晶体TiS3 crystals
NbS2 二硫化铌晶体 (Niobium Disulfide)(Niobium Disulfide)
p-type MoS2 crystals P型二硫化钼晶体p-type MoS2 crystals
ZrS2 二硫化锆晶体 (Zirconium Disulfide)(Zirconium Disulfide)
n-type MoS2 crystals N型二硫化钼晶体n-type MoS2 crystals
Rare: Naturally Occurring Tungsten Disulfide (WS2)  晶体:二硫化钨晶体 
MoS2 大尺寸二硫化钼晶体(Molybdenum Disulfide) - Medium 15x10mm
MoS2 大尺寸二硫化钼晶体(Molybdenum Disulfide) - Large 15x20mm

 温馨提示:西安齐岳生物供应产品用于科研,不能用于人体
yyp2021.6.24

 

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