掺钇氧化锆（YSZ）晶体基片
掺钇氧化锆(YSZ)单晶基片是早应用于高温导薄膜的材料之一。一般使用的氧化锆需要掺入钇作为稳定剂,常见浓度有13 mol%,YSZ具有机械和化学、成本低的特点。由于氧化锆材料具有高硬度，高强度，高韧性，的性及耐化学腐蚀性等等的物化性能，氧化锆已经在陶瓷、耐火材料、机械、电子、光学、航空航天、生物、化学等等领域获得的应用。
主要性能参数 | |
晶体结构 | 立方 |
晶格常数 | a=5.147 Å |
熔点（℃） | 2700 |
密度（g/cm3） | 6.0 |
硬度 | 8-8.5（mohs） |
纯度 | 99.99% |
热膨胀系数（/℃） | 10.3×10-6 |
介电常数 | ε=27 |
生长方法 | 弧熔法 |
尺寸 | 10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， |
| dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm |
厚度 | 0.5mm，1.0mm |
抛光 | 单面或双面 |
晶向 | <001>±0.5º |
晶面定向精度: | ±0.5° |
边缘定向精度: | 2°（要求可达1°以内） |
斜切晶片 | 可按某些需求，加工边缘取向的晶面按某些角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片 |
供应产品目录：
| MoWS2 钼钨硫晶体 | MoWS2 crystals |
| MoS2 二硫化钼晶体 (小尺寸>10mm*10mm） | MoS2 crystals |
| MoS2 二硫化钼晶体 (中尺寸>15mm*15mm) | MoS2 crystals |
| MoS2 二硫化钼晶体 (大尺寸>20mm*20mm) | MoS2 crystals |
| MnPS3 晶体 | MnPS3 crystals |
| HfS2 硫化铪晶体 | HfS2 (Hafnium Disulfide) |
| CuS 晶体 | CuS crystals |
| SnS2 二硫化锡晶体 | (Tin Disulfide) |
| TaS2 (2H-phase) 2H-二硫化钽晶体 | TaS2 (2H-phase) |
| MoS2 二硫化钼晶体（合成） | MoS2 crystals |
| PbSnS2 硫化锡铅 | PbSnS2 crystals |
| ZrS3 三硫化锆晶体 | ZrS3 crystals |
| Sb2S3 硫化锑晶体 | (Antimony sulfide) |
| FePS3 硫化磷铁晶体 | FePS3 crystals |
| SnS crystals 硫化锡晶体 | SnS crystals |
| TaS2 (1T-phase) 1T-二硫化钽晶体 | TaS2 (1T-phase) |
| MnPS3 硫化磷锰晶体 | MnPS3 crystals |
| Sb2OS2 硫化氧锑晶体 | Sb2OS2 crystals |
| TlInS2 硫化铟晶体 | TlInS2 crystals |
| TlGaS2 硫化镓晶体 | TlGaS2 crystals |
| GeS 硫化锗晶体 | (Germanium Sulphide) |
| p-type WS2 crystals P型二硫化钨晶体 | p-type WS2 crystals |
| GaS 硫化镓晶体 | (Gallium Sulfide) |
| HfS2 二硫化铪晶体 | (Hafnium Disulfide) |
| WS2 二硫化钨晶体 | (Tungsten Disulfide) |
| ReS2 二硫化铼晶体 | (Rhenium Disulfide) |
温馨提示：西安齐岳生物供应产品用于科研，不能用于人体
yyp2021.6.23
掺钇氧化锆（YSZ）晶体基片
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