氧化镁（MgO）单晶基片材料
氧化镁（MgO）单晶基片应用在多个薄膜领域中。如用于制作磁学薄膜、半导体薄膜、光学薄膜和高温导薄膜等。由于MgO单晶在微波波段的介电常数和损耗都很小，且能得到大面积的基片（直径2"及更大），所以是当前产业化的重要高温导薄膜单晶基片之一。 可用于制作移动通讯设备所需的高温导微波滤波器等器件。具有很大的现实及潜在应用市场。
主要性能参数 | |
生长方法 | 弧熔法 |
晶体结构 | 立方 |
晶格常数 | a=4.130 Å |
熔点（℃） | 2800 |
纯度 | 99.95% |
密度（g/cm3） | 3.58 |
硬度 | 5.5（mohs） |
热膨胀系数（/℃） | 11.2x10-6 |
晶体解理面 | <100> |
光学透过 | >90%（200~400nm），>98%（500~1000nm） |
介电常数 | ε= 9.65 |
热导率（卡／度 厘米 秒） | 0.14 300°K |
尺寸 | 10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， |
| dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm |
厚度 | 0.5mm，1.0mm |
抛光 | 单面或双面 |
晶向 | <001>±0.5º |
晶面定向精度: | ±0.5° |
边缘定向精度: | 2°（要求可达1°以内） |
斜切晶片 | 可按某些需求，加工边缘取向的晶面按某些角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片 |
Ra: | ≤5Å（5µm×5µm） |
主要特点 | 由于MgO单晶在微波波段的介电常数和损耗都很小，且能得到大面积的基片（直径2英吋及更大），所以是当前产业化的重要高温导薄膜单晶基片之一。 |
主要用途 | 用于制作磁学薄膜、半导体薄膜、光学薄膜和高温导薄膜等,也可用于制作移动通讯设备所需的高温导微波滤波器等器件。 |
供应产品目录：
| PdTe2 crystals 二碲化钯晶体 | (Palladium Ditelluride) |
| As2Te3 crystals 三碲化砷晶体 | As2Te3 crystals |
| HfTe2 二碲化铪晶体 | (Hafnium ditelluride) |
| Bi2-xTlxTe3 - Thalium alloyed Bi2Te3 crystals 钛合金-二碲化铋晶体 | Bi2-xTlxTe3 - Thalium alloyed Bi2Te3 crystals |
| Bi2-xTlxTe3 - Thalium alloyed Bi2Te | Thalium alloyed Bi2Te |
| NbTe2 crystals 二碲化铌晶体 | NbTe2 crystals |
| InTe 碲化铟晶体 | (Indium Telluride) |
| ZrTe2 二碲化锆晶体 | ZrTe2 crystals |
| 2H-MoTe2 2H-二碲化钼晶体 (Molybdenum Ditelluride) | (Molybdenum Ditelluride) |
| GaTe 碲化镓晶体 (Gallium Telluride) | (Gallium Telluride) |
| CoTe2 碲化钴晶体 (Cobalt ditelluride) | (Cobalt ditelluride) |
| FeTe 碲化铁晶体 | (Iron Telluride) |
| TlGaTe2 碲化镓晶体 | TlGaTe2 Crystals |
| PtTe2 二碲化铂晶体 | (Platinum Ditelluride) |
| CuFeTe Crystals 碲化铁铜晶体 | CuFeTe Crystals |
| SnTe2 二碲化锡晶体 | (Tin ditelluride) |
| Bi2Se1.5Te1.5 碲化硒铋晶体 | (Bismuth Selenide Telluride) |
| Bi2Te3 碲化铋晶体 | (Bismuth Telluride) |
| 二碲化三铁（锗掺杂）晶体 Fe3GeTe2（99.995%） | Fe3GeTe2 crystals |
| 二碲化铂晶体 PtTe2 | (Platina Ditelluride) |
| 二碲化钯晶体 PdTe2 | (Palladium Ditelluride) |
| 二碲化钼晶体（99.995%） | 2H-MoTe2(Molybdenum Ditelluride) |
| 碲化锆 ZrTe3 | (Zirconium Tritelluride) |
| 碲化锡 Sb2Te3 | (Antimony Telluride) |
| 二碲化钽 TaTe2 | (Tantalum Ditelluride) |
| 碲化砷 As2Te3 | (Arsenicum Telluride) |
| 二碲化钨晶体（99.995%） | WTe2(Tungsten Ditelluride) |
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yyp2021.6.23
氧化镁（MgO）单晶基片材料
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