MoSe2/MoTe2二硒化钼单层TMDs纳米片
TiTe2 二碲化钛、MoTe2单层二碲化钼TMDs、VTe2二碲化钒、NbTe2二碲化铌、TaTe2二碲化钽、少层WS2纳米片
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MoSe2/MoTe2二硒化钼单层TMDs纳米片
近年来，受到石墨烯的激励，利用相关二维材料制备SA成为研究的热点，如拓扑缘体，过渡金属硫化物(Transitionmetal dichalcogenides，TMDs)、黑磷等。其中，TMDs(表达式为MX2，M为过渡金属如钼，钨W等；X为VI主族元素如硫，硒，碲等)是一类具有类似分子结构和物理性质的层状二维晶体材料，具有能带隙与原子层数有关的性质质，成为材料科学和光电子学等领域的研究热点。相比于石墨烯和拓扑缘体等零带隙材料，MX2是具有禁带宽度的半导体材料，并且带隙宽度随着材料厚度发生变化。以二硫化钼(MoS2)为例，块状二硫化钼是间接带隙半导体，带隙在0.86～1.29eV之间；而单层二硫化钼为直接带隙半导体，带隙为1.8eV。由于带隙随着材料厚度发生变化，使得单层、少层薄膜比块状材料具有更高的光致发光效率和非线性系数。深圳大学张晗教授次报道了利用二硫化钼作为可饱和吸收体在掺镱光纤中实现锁模。从此以后，基于二硫化钼的掺镱(Yb)、掺铒(Er)和掺铥(Tm)激光器相继报道。M.Zhang等人利用二硫化钼实现了可调谐的ANDi掺Er锁模光纤激光器。近，R.Khazaeizhad等人利用多层二硫化钼被覆于D-形光纤上实现反常和正常色散两个范围的锁模脉冲输出。西北大学毛东教授次利用WS2作为可饱和吸收体，输出脉宽为1.32ps，重复频率为8.86MHz的掺Er光纤锁模脉冲输出，并实现了1.06um和1.55um的耗散孤子锁模。Guoyu等人次利用WS2薄膜在掺Yb光纤中实现锁模。近年来，S.Sathiya等人次报道了利用MoSe2在掺Yb光纤中实现耗散孤子锁模。C.T.Howe等人利用二硫化钼作为可饱和吸收体在掺Er光纤和掺Yb光纤中分别实现锁模以及调Q波长可调谐，可调谐范围分别为1535-1565nm和1030-1070nm。
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