Cu2Se为基底的纳米拓扑缘体材料
产品：CuxBi2Se3拓扑缘体/Cr掺杂BixSbyTe3晶体/Cr掺杂Bi2Se3/Fe掺杂Bi2Se3/Cr0.1(Bi0.1Sb1-0.1)2-0.1Te3扑缘体量子阱薄膜的材料。
西安齐岳生物科技有限公司是一家从事科研试剂、多肽、石墨烯、石墨炔(graphyne)发光材料、金属配合物发光材料、光电材料、MAX相陶瓷，碳纳米管、原料药、纳米材料、钙钛矿、脂质体、合成磷脂的、定制合成、生产和销售的生物科技有限公司，公司联合了西安交通大学、内药科大学等院校的药学科研小组，不断的进行纳米材料、多肽，嵌段共聚物的，为公司提供而持续的动力。产
Cu2Se为基底的纳米拓扑缘体材料
产品供应列表：
800nm拓扑缘体
一维的拓扑缘体—SSH模型拓扑
Bi2Se2Te三元拓扑缘体
Bi2-xSbxSe3三元拓扑缘体
Bi2-xSbxTe3三元拓扑缘体
四元拓扑缘体Bi2-xSbxTe3-ySey (BSTS)
Bi1.5Sb0.5Te1.8Se1.2四元拓扑缘体
Bi2Te3-Bi2Se3的异质结构
Bi2Te3三角形的纳米薄片
Bi2Te3六边形的纳米薄片
Bi2Se3三角形的纳米薄片
Bi2Se3六边形的纳米薄片
过渡金属化合物LaRu3Si2
Bi4O4S3导体
导体Ba2/3Pt3B2
碲化汞拓扑缘体
碲化镉拓扑缘体
拓扑缘体Ta As2
掺杂Mn的拓扑缘体Bi2Se3的异质结薄膜
拓扑缘体YbB6单晶体
拓扑缘体Bi2Se3与钙钛矿氧化物La0.7Sr0.3MnO3复合结构
拓扑缘体/石墨烯复合柔性透明导电薄膜
利用气相沉积法制备了的拓扑缘体材料单晶纳米线和多晶薄膜,进而构筑了基于纳米线/硅和薄膜/硅的光电探测器。的主要研究内容如下:一、硒化铋拓扑缘体单晶纳米线控制合成及其异质结光电探测器:先在衬底Si上蒸镀10 nm Au作为纳米线生长的催化剂,然后利用气相沉积法在衬底上制备出大面积的硒化铋纳米线。再对基底二氧化硅进行光刻、蒸镀电极、二次光刻、反应离子刻蚀去掉氧化层,从而得到金电极与Si的插指状结构。然后将纳米线转移基底上,再打磨基底背面用铟镓合金引出电极,从而构筑了硒化铋纳米线/硅的光电探测器器件。经过测试发现器件具有很好的器件性能如较高的响应度、较快的响应时间以及紫外-近红外的宽光谱响应性质和较好的稳定性等。硒化铋纳米线/硅异质结构在光电探测器上的应用表明拓扑缘体一维纳米材料在光电子器件方面具有很大的应用前景。二、碲化锡拓扑缘体薄膜大面积合成及其自驱动光电探测器:利用气相沉积法,在管式炉里成功的制备出了碲化锡薄膜样品。该方法可实现薄膜的大面积制备,同时薄膜的结晶性较好且制备过程方便。利用模板辅助溶液刻蚀法在氧化硅基底上开窗口并在窗口处的Si上直接生长碲化锡薄膜,再经引出电极后,成功制备出了SnTe/Si异质结光电探测器。SnTe/Si异质结器件在0 V及-1 V偏压下都具有较高的开关比和较快的响应速度。同时器件具有的光伏,因而可用于自驱动光电探测器件。另外器件在紫外近红外的宽波段均具有较好的响应性能,而且本工作中还得到了4×1012 cmHz1/2W-1的探测度以及8μs的响应速度,此性能在目前关于拓扑缘体材料的报道中均是高。基于SnTe/Si异质结光电探测器的性能,预示着拓扑缘体材料在响应和高探测度的光电探测器上有着的应用潜力。
供应产品特点：
价格：比便宜30%-40%
品质：和品质一样 纯度95%+
：提供每一批次产品的核磁、HPLC图谱信息
售后：如遇质量达不到95%或使用体验不好 均无条件退货
货期：常年，接受定制，提供核磁，HPLC，LCMS,GC图谱 可使用；对于科研机构支持。提供的产品的msds、结构式、性质、英文名、生产厂家、作用/用途、分子式/化学式、密度、沸点、熔点等
温馨提示：西安齐岳生物供应产品用于科研，不能用于人体（wyf2020.04.10）
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