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氮化硅薄膜的制备方法(Si3N4)
1.物相沉积（PVD)法
磁控反应溅射(Magnetron Sputting>法、离子束沉积（IBED)法
2.化学气相沉积（CVD）法
热化学气相沉积（HCVD)法、光化学气相沉积（PCVD)法
除此之外，还有常压热化学气相沉积(APTCVD)法、快热化学气相沉积(RTCVD)法、电子回旋共振CVD (ECRCVD)、催化CVD法(Cat-CVD)、混合激发CVD法（HECVD)等等。
3.直接氮化法
NH3高温氮化、等离子体氮化、离子束氮化、激光辅助氮化
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齐岳供应产品：
| 氮化硅/碳纤维/环氧树脂导热复合材料(SiN/CF/EP) |
| 多层与单层纳米管(MWCNTs、SWCNTs |
| BAS/Si3N4复合材料 |
| SiAlON陶瓷 |
| BAS/SiC复合材料 |
| Si3N4/BAS陶瓷复合材料 |
| SiC(w)/SiN复合材料 |
| Si3N4-Al2O3-Y2O3-MgO复合物 |
| 碳化硅/氮化硅/聚丙烯复合材料 |
| Si3N4/SiC/PP复合材料 |
| 碳纳米管-氮化硅改性聚丙烯复合材料 |
| Si3N4-BN氮化硅-氮化硼系复合材料 |
| α-Si3N4(w)/RBSN复合材料 |
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| β-Si3N4(w)/Si3N4复合材料 |
| β-SiC(w)/Si3N4复合材料 |
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| 硅硼氧氮纤维/氮化硅陶瓷复合材料 |
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| Si@Si3N4@C核壳结构复合材料 |
| 碳包覆氮化碳/硅-氮化硅/二氧化硅复合材料 |
| 导电氮化钛/氮化硅纳米复合材料 |
| 氮化硅/氮化钛纳米复合材料 |
| 亚微米级硅颗粒/氮化硅/碳复合材料 |
| 氮化硅/聚对苯二甲酸酯纳米复合材料 |
| Ni金属膜覆盖Si3N4衬底生长浓度可控石墨烯材料 |
| CrN/Si3N4纳米多层膜 |
| Si3N4衬底表面上的纳米级Au薄膜 |
| 硅衬底上制备了si3N4薄膜 |
| 锑化铟衬底上生长Si3N4和SiO2双层介质膜 |
| 硅衬底上直接合成了Si3N4/SiO2同轴纳米线 |
| 不同基底偏压条件下CrN/Si3N4纳米多层膜 |
| 蓝宝石和硅衬底上氮化硅(Si3N4)薄膜 |
| 蓝宝石衬底上Si3N4膜 |
| Si3N4衬底上TST薄膜 |
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| Al的Si3N4纳米线 |
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| Si3N4衬底上制备V2O5/V/V2O5复合薄膜 |
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