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东莞市惠海半导体有限公司
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50N06 HC012N06L2 TO-252 50A60V贴片MOS管
型号:HC012N06L2参数：60V50A ，类型：N沟道场效应管，内阻14mR， 超低结电容1100pF，封装：贴片（TO-252），低开启电压1.5V，低内阻，低结电容,低开启电压，
东莞市惠海半导体有限公司【中低压MOS管厂家】，供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 *，质优价廉 大量现货 量大价优 欢迎选购，低内阻，结电容小，采用沟槽工艺，性能优越,
东莞市惠海半导体有限公司专业20-150V系列中低压NMOS管场效应管封装制造、研发、生产、销售
主营SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等封装
惠海半导体备货实力强，可以做月结，是值得信赖合作的实力供应商
惠海半导体的宗旨是品质放在位，在封装厂代工，质量，价格第二
因为专注，所以专业
惠海半导体专业的团队，为您提供周到完善的实施工程支持、售前服务及售后服务，让您无任何后顾之忧
我们的优势：*，价格优势，货源充足，实施工程支持，*，可以做月结
型号:HC012N06L2参数：60V50A ，类型：N沟道场效应管，内阻14mR， 超低结电容1100pF，封装：贴片（TO-252），低开启电压1.5V，低内阻，超低结电容,低开启电压，
型号:HC012N06L2参数：60V50A ，类型：N沟道场效应管，内阻14mR， 超低结电容1100pF，封装：贴片（TO-252），低开启电压1.5V，低内阻，超低结电容,低开启电压，
HC012N06L2采用的SGT工艺，性能比沟槽工艺/平面工艺的MOS管好、温升低，超结MOS管，低电容、低内阻、高性能、高性价比，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强
HC012N06L2优势替代HY1606D，替代HY1403D，替代HY1906D,替代NCE4060K 替代NCE3050K 替代CJU60N04 CJU50N06 CJU50N03 ME50N06 替代DTU50N06 替代IRF50N06，替代IRFR3707Z 替代NCE6050K
HC012N06L2广泛应用于LED驱动电源、汽车大灯驱动、汽车头灯驱动、汽车大灯驱动、工作灯驱动、LED汽车大灯驱动电源、舞台灯光、帕灯控制板、马达驱动电机、HID安定器、POE电源、安防监控电源、电子点烟器、雾化器、香薰机、加湿器等产品，
在客户正式量产订货前公司可免费提供样品测试及实施工程支持
我们的优势：*，价格优势，实施工程支持，货源充足，*，
工厂规模：
可靠性测试及品质把控：
封装及测试流程：
公司库存实力展示：
更多型号如下：
型号：HC240N10LS N沟道场效应管，丝印HC310，100V3A 3N10 SOT23-3封装，内阻200mR
型号：HC160N10LS N沟道场效应管 丝印HC510 100V5A (5N10)SOT23-3封装，内阻155mR，可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪
型号：HC610 N沟道场效应管 100V6A 6N10 SOT23-3L 内阻80mR
型号：HC160N10L N沟道场效应管 100V10A(10N10) TO-252封装，内阻145mR,可用于雾化器、车灯电源等
型号：HC080N10L N沟道场效应管 100V17A(17N10)TO-252封装， 内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等
型号：HC021N10L N沟道场效应管 100V35A (35N10)TO-252封装 内阻22mR，可用于工控电源
型号：HC080N10LS N沟道场效应管 100V15A SOP-8封装 内阻68mR
型号：HC15N10 N沟道场效应管 100V15A(15N10)TO-252封装， 内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等
型号：HC012N06L N沟道场效应管 60V50A(50N06 )TO-252封装， 内阻12mR,汽车灯电源、电机驱动、控制器等
型号：HC012N06LS N沟道场效应管 55V12A SOP-8封装 内阻13mR
型号：HC037N06L N沟道场效应管 60V30A(30N06)TO-252封装， 内阻30mR,可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪
型号：HC037N06LS N沟道场效应管 60V30A SOP-8封装 内阻30mR
型号：HC080N06L N沟道场效应管 60V17A 15N06 TO-252封装， 内阻70mR
型号：HC080N06LS N沟道场效应管 丝印HC606 60V6A SOT23-3封封装 内阻90mR
型号：HC706 N沟道场效应管 60V7A SOP-8封装 内阻80mR
型号：HC020N03L N沟道场效应管 30V30A TO-252 内阻20mR
型号：HC3600M N沟道场效应管 30V8A SOT23-3封装 内阻22mR
型号：HC3400M N沟道场效应管 30V5.8A SOT23-3封装 内阻30mR
型号：HC1033D N沟道场效应管 100V8A DFN3*3封装 内阻145毫欧
型号：HC1019D N沟道场效应管 100V14A DFN3*3封装 内阻84毫欧
型号：HC1006DD N沟道场效应管 100V30A DFN3*3封装 内阻20毫欧
型号：HC6033D N沟道场效应管 60V13A DFN3*3封装 内阻70毫欧
型号：HC6019D N沟道场效应管 60V20A DFN3*3封装 内阻30毫欧
型号：HC5511D N沟道场效应管 55V40A DFN3*3封装 内阻13毫欧
型号：HC3022D N沟道场效应管 30V45A DFN3*3封装 内阻13毫欧
型号：HC3022D N沟道场效应管 30V45A DFN3*3封装 内阻13毫欧
型号：HC3039D N沟道场效应管 30V25A DFN3*3封装 内阻24毫欧
型号：HC1519D N沟道场效应管 150V6A DFN3*3封装 内阻238毫欧
50N06 HC012N06L2 TO-252 50A60V贴片MOS管
50N06 HC012N06L2 TO-252 50A60V贴片MOS管
型号太多，无法一一列出来，具体可以上惠新晨电子网看或者来电自诩，给您带来不便敬请谅解，谢谢
东莞市惠海半导体有限公司专业中低压MOS管行业10年，经验丰富，实力雄厚，工程支持，可以做月结30天，惠新晨电子是您值得信赖合作的实力中低压MOS场效应管供应商
我们的优势：*，价格优势，货源充足，*
东莞市惠海半导体有限公司致力于研发销售高品质中低压场效应MOS管产品，不断创新及提供高性价比的产品来满足市场的需求，为客户提供靠较好性价比的产品，坚持不断创新，不断改善
东莞市惠海半导体有限公司拥有一支有丰富半导体经验的设计、研发、和销售团队，团队多数成员在世界公司有过丰富的工作经验
东莞市惠海半导体有限公司广泛整合*进的生产技术和丰富的人力资源，在产品和市场上不断开拓创新
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