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HC3600M 一盘3000，*，货源充足，量大价格更实惠
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深圳惠海半导体有限公司【中低压MOS管厂家】，供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 *，质优价廉 大量现货 量大价优 欢迎选购，超低内阻，结电容超小，采用沟槽工艺，性能*,
东莞市惠海半导体有限公司专业20-150V系列中低压NMOS管场效应管封装制造、研发、生产、销售
型号:HC3600M参数：30V8A ，类型：N沟道场效应管，内阻22mR，超低结电容445pF， 封装：贴片（SOT23-3），低开启电压1.5V，超低结电容，低内阻，超低结电容,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强
小封装替换AON7540 低内阻30V8A场效应管
小封装替换AON7540 低内阻30V8A场效应管
更多型号如下：
型号：HC160N10L N沟道场效应管 100V10A(10N10) TO-252封装，可用于雾化器、车灯电源等
型号：HC080N10L N沟道场效应管 100V17A(17N10)TO-252封装，可用于加湿器、车灯电源等
型号：HC021N10L N沟道场效应管 100V35A (35N10)TO-252封装
型号：HC080N10LS N沟道场效应管 100V15A SOP-8封装
型号：HC15N10 N沟道场效应管 100V15A(15N10)TO-252封装，可用于加湿器、车灯电源等
型号：HC012N06L N沟道场效应管 60V50A(50N06 )TO-252封装，汽车灯电源、电机驱动、控制器等
型号：HC012N06LS N沟道场效应管 55V50A SOP-8封装
型号：HC037N06L N沟道场效应管 60V30A(30N06)TO-252封装，可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪
型号：HC037N06LS N沟道场效应管 60V30A SOP-8封装
型号：HC080N06L N沟道场效应管 60V15A 15N06 TO-252封装
型号：HC080N06LS N沟道场效应管 60V6A SOT23-3封封装
型号：HC080N06LSS N沟道场效应管 60V10A SOP-8封装
型号：HC020N03L N沟道场效应管 30V30A TO-252
型号：HC3600M N沟道场效应管 30V8A SOT23-3封装
型号：HC3400M N沟道场效应管 30V5.8A SOT23-3封装
100V40A (40N10)TO-252封装
型号：HC160N10LS N沟道场效应管 100V5A (5N10)SOT23-3封装，可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪
100V6A (6N10)SOT23-3封装
100V4A (4N10)SOT23-3封装
100V3A (3N10)SOT23-3封装
型号：HC240N15L N沟道 150V8A（8N15）TO-252封装，可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪
OC5011 OC5021 LN2576 PT4121 FP 7175 FP7176 FP7171 FP7179 SQ9910 HV9910 SMD802MOS管
型号太多，无法一一列出来，具体可以上惠海半导体网看或者来电，给您带来不便敬请谅解，谢谢
Mos管是金属（metal）—氧化物（oxid）—半导体（semiconductor）场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的源（source）和漏（drain）是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
当MOS电容的栅极（Gate）相对于衬底（BACKGATE）正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做沟道（channel）。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。所以MOS是电压控制型器件。
