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HC3600M 一盘3000，*，货源充足，量大价格更实惠
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深圳惠海半导体有限公司【中低压MOS管厂家】，供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 *，质优价廉 大量现货 量大价优 欢迎选购，超低内阻，结电容超小，采用沟槽工艺，性能*,
东莞市惠海半导体有限公司专业20-150V系列中低压NMOS管场效应管封装制造、研发、生产、销售
型号:HC3600M参数：30V8A ，类型：N沟道场效应管，内阻22mR，超低结电容445pF， 封装：贴片（SOT23-3），低开启电压1.5V，超低结电容，低内阻，超低结电容,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强
小体积大电流30V8A场效应管HC3600M
小体积大电流30V8A场效应管HC3600M
更多型号如下：
型号：HC160N10L N沟道场效应管 100V10A(10N10) TO-252封装，可用于雾化器、车灯电源等
型号：HC080N10L N沟道场效应管 100V17A(17N10)TO-252封装，可用于加湿器、车灯电源等
型号：HC021N10L N沟道场效应管 100V35A (35N10)TO-252封装
型号：HC080N10LS N沟道场效应管 100V15A SOP-8封装
型号：HC15N10 N沟道场效应管 100V15A(15N10)TO-252封装，可用于加湿器、车灯电源等
型号：HC012N06L N沟道场效应管 60V50A(50N06 )TO-252封装，汽车灯电源、电机驱动、控制器等
型号：HC012N06LS N沟道场效应管 55V50A SOP-8封装
型号：HC037N06L N沟道场效应管 60V30A(30N06)TO-252封装，可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪
型号：HC037N06LS N沟道场效应管 60V30A SOP-8封装
型号：HC080N06L N沟道场效应管 60V15A 15N06 TO-252封装
型号：HC080N06LS N沟道场效应管 60V6A SOT23-3封封装
型号：HC080N06LSS N沟道场效应管 60V10A SOP-8封装
型号：HC020N03L N沟道场效应管 30V30A TO-252
型号：HC3600M N沟道场效应管 30V8A SOT23-3封装
型号：HC3400M N沟道场效应管 30V5.8A SOT23-3封装
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【场效应管的作用】
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8~10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
使用优势
场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，大电压等，大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。
在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、大电压、大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。
当电源IC与MOS管选定之后，选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。
东莞市惠海半导体有限公司
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