BAD85-BAD85户外led防爆路灯防爆照明灯应用范围
适用于石油开采、冶金、*储备等企业的有爆炸性气体的区域。
适用于爆炸性气体环境的2区危险场所。
适用于ⅡA,ⅡB,ⅡC类爆炸性气体环境的场所。
适用于可燃性粉尘环境的20区、21区、22区场所。
适用于潮湿、防护要求较高的场所。
问:防爆灯一般都用在什么地方呢?
答:一些给汽车、家具、机械设备喷漆的场所(比如喷漆房)也会安装防爆灯,因为油漆也属于易燃物品;还有像电厂,
化工厂,油库,煤厂等这些场所都是需要防爆灯常用场所。适用于石化装置、海上石油平台、加油站、油库气站、油泵房、
中转站、联合站、船舶行业等易燃易爆场所作固定
问:防爆灯都有什么安装方式?
答:防爆灯有吸顶式安装,壁挂式安装,支架式安装,支架式安装,管吊式安装,
法兰式安装,护栏式安装,高顶式安装等多种安装方式!
问:一般安装防爆灯有什么要求?
答:防爆灯在安装前要从铭牌与产品说明书中核对:防爆型式、类别、级别、组别;外壳的防护等级;安装方式及安装用的紧固件要求等。
防爆灯的安装要确保固定牢靠,紧固螺栓不得任意更换,弹簧垫圈应齐全。防尘、防水用的密封圈安装时要原样放置好。
电缆进线处,电缆与密封垫圈要紧密配合,电缆的断面应为圆形,且护套表面不应有凹凸等缺陷。多余的进线口,
须按防爆类型进行封堵,并将压紧螺母拧紧,使进线口密封。
在中国LED芯片产业的发展过程中,早期产品主要以普通亮度为主,生产厂商也只有南昌欣磊等少数几家。进入2003年后,以厦门三安、大连路美为代表的几家芯片生产企业陆续成立。针对芯片市场的需求,这些生产企业纷纷把产品重点集中在高亮度芯片,这直接带动了中国高亮度芯片产量的快速增长。一时间,中国掀起了LED芯片产业发展的新高潮,高亮度芯片成为中国LED芯片产业发展的主要推动力。2006年中国LED芯片产量达到309.3亿个,产值达到11.9亿元。
对于高亮度芯片来说,2003年至今可称为其高速发展阶段。特别是随着厦门三安、大连路美等一批高亮度芯片生产企业的产能释放,国内高亮度芯片产量出现井喷式增长,在经历了2003年-2005年产量增长率过*的快速增*后,2006年高亮度芯片产量继续保持过*的增长速度,增长率达到101.4%,芯片产值增长率也达到45.0%。
随着汽车的发展,车灯技术也在同步发展。从早期的白炽灯到电气时代的卤素灯泡、从技术革新的氙气车灯到如今车灯主流的LED车灯。多年来,车灯技术发生了许多翻天覆地的变化,在汽车系统不断变革中,汽车照明技术也不断向前沿科技看齐。
作为汽车的重要组成部分,汽车车灯不仅仅成为了汽车的信号语言,更成为了驾驶者自身修养的延展。车灯作为汽车在行驶中的语言,需要我们对它有足够的重视,除了照明警示之外,车灯还有很多功能,包括车灯的装饰作用和安全作用等。
随着科学技术的发展,车灯将逐步朝着智能化、人性化、安全化方向发展。智能车灯不仅可以更好的观察到前方的情况,而且能避免前方来车因灯光太刺眼看不到的情况,在主动安全方面起到了很重要的作用。
BAD85-BAD85户外led防爆路灯防爆照明灯产品优势:
1、光通量光效*,节能低碳环保,显色指数高,瞬间即逝启动,冷光源,热量低,无热辐射安全可靠,不含汞,钠等有害物质。
2、85-265V交流电各24V直流电两种供电方式选择。
3、采用LED集成模组做光源,能耗低,光效高,在相同亮度下比高压钠灯,汞灯,金卤灯更节能以上。
4、LED光源为低压直流工作,不需镇流器,直流驱动电源与LED光源一体化于灯具中。
5、散热设计,散热效果优良,确保光源寿命长达5万小时以上,真正的免维护产品。
6、外壳采用铝合金整体压铸成型,表面做防高压静电,防腐蚀喷涂。
7、隔爆型高防爆等级,具有优良的防尘,防水,防腐防爆能力。
8、透镜采用够强度钢化玻璃,耐高温,耐蚀,透光率高。
9、选进的透镜配光设计,多种发光角度可选,照度均匀度高,光色柔和,光射效果好。
10、*的驱动电源设计,恒流精度高,宽电压范围入,高功率因数,抗*电网设计。
11、外形美观,安装方便。
中国半导体照明产业做大做强。据悉,未来中国半导体明显产业将进入政府大力支持、企业各显神通的阶段。据*电子信息司关白玉介绍,*正在酝酿推广半导体照明的相关扶持政策;今年有多项半导体照明相关的国家标准、行业标准将完成报批程序,并予以公布,同时多项标准正在研究制定中。此外,鉴于半导体照明的产业链长,产品相关标准制定过程中,涉及多个部门。为做好标准制定工作,未来在部内实行司局联手,在部委之间实行联合,采取产、学、研、用联动的工作方式,全面推动半导体照明产业的发展。据业内人士表示,如中国主管部门效仿海外发达国家,加大补贴力度,则中国半导体照明业将进一步提速。来自日本的数据显示,由于日本政府推行的补贴政策,半导体照明灯在日本的占有率从2009年的迅速提高到今年2月的10%。各地方政府已经开始了争建半导体照明产业基地,并加快了推广、采购半导体照明灯的步伐。以东莞为例,自被*正式确定为“十城万盏”半导体照明应用示范工程试点城市后,东莞表示,2011年共推广应用半导体照明灯4万盏,该项目从2009—2011年共分3批实施,共需投入资金亿元。成都也出台了相关补贴政策,计划从2010年到2012年,成都市通过实施LED照明产品应用示范工程计划,推广应用照明用LED灯40万盏,实现示范工程亿元投资。
在中国LED芯片产业的发展过程中,早期产品主要以普通亮度为主,生产厂商也只有南昌欣磊等少数几家。进入2003年后,以厦门三安、大连路美为代表的几家芯片生产企业陆续成立。针对芯片市场的需求,这些生产企业纷纷把产品重点集中在高亮度芯片,这直接带动了中国高亮度芯片产量的快速增长。一时间,中国掀起了LED芯片产业发展的新高潮,高亮度芯片成为中国LED芯片产业发展的主要推动力。2006年中国LED芯片产量达到309.3亿个,产值达到11.9亿元。
对于高亮度芯片来说,2003年至今可称为其高速发展阶段。特别是随着厦门三安、大连路美等一批高亮度芯片生产企业的产能释放,国内高亮度芯片产量出现井喷式增长,在经历了2003年-2005年产量增长率过*的快速增*后,2006年高亮度芯片产量继续保持过*的增长速度,增长率达到101.4%,芯片产值增长率也达到45.0%。
在中国LED芯片产业的发展过程中,早期产品主要以普通亮度为主,生产厂商也只有南昌欣磊等少数几家。进入2003年后,以厦门三安、大连路美为代表的几家芯片生产企业陆续成立。针对芯片市场的需求,这些生产企业纷纷把产品重点集中在高亮度芯片,这直接带动了中国高亮度芯片产量的快速增长。一时间,中国掀起了LED芯片产业发展的新高潮,高亮度芯片成为中国LED芯片产业发展的主要推动力。2006年中国LED芯片产量达到309.3亿个,产值达到11.9亿元。
对于高亮度芯片来说,2003年至今可称为其高速发展阶段。特别是随着厦门三安、大连路美等一批高亮度芯片生产企业的产能释放,国内高亮度芯片产量出现井喷式增长,在经历了2003年-2005年产量增长率过*的快速增*后,2006年高亮度芯片产量继续保持过*的增长速度,增长率达到101.4%,芯片产值增长率也达到45.0%。
除了良好的外部环境外,国家对LED产业的发展也给予了大力支持。2006年,根据我国自身半导体照明的发展现状,国家制定了符合自身发展的半导体照明产业发展计划和2006年技术发展路线图。在2006年技术发展路线图中,对于LED芯片的投资将占包括材料、衬底、外延、封装、应用以及设备在内的整体LED产业投资的20%,研究重点将放在GaN芯片的生产以及功率芯片的研发上。
虽然拥有广泛的市场需求以及国家的大力支持,但我们也不得不承认,现阶段中国LED芯片产业仍然存在核心技术缺乏、专业人才短缺、产品质量不高、设备自主生产能力弱等发展困境,如何解决上述问题是我国LED芯片产业能否持续健康快速发展的关键。