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50W防爆LED泛光灯工厂照明灯

参   考   价:面议
具体成交价以合同协议为准

产品型号:NFK5070

品       牌:

厂商性质:生产商

所  在  地:荆州市

更新时间:2019-08-09 16:16:37浏览次数:236

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50W防爆LED泛光灯工厂照明灯技术参数:
功 率:10W-250W
工作电压与频率:AC85V-260V/50~60Hz
光源光效:≥110Lm/W
光源色温:5900K±200K

台北光电周将于6月18日至20日举办,同期开展的中国台湾led照明展也配合推出一系列活动,首先于6月18日举办“两岸led照明产品共通规格发表”记者会,为led照明展揭开序幕。 中国台湾led照明产业联盟(tilia)5月表示表示,海峡两岸led产业搭桥计划进展顺利,两岸首版《led接口电气规格分级与标准》将于6月18日出台。这将是中国台湾与大陆*就led照明达成的产业标准。 现期led照明产业高速发展,但缺乏统一的规范也使得led市场较为混乱,无论是led照明企业还是用户,都需要有标准来规范市场,让led照明能够更好地发展。 led照明产业联盟指出,驱动电路与发光模组间接口电气参数(电压、电流及功率等)规格整合与产业标准化,使不同厂家的发光模组及驱动电路具可相容与互换的功能性要求,进而可建立模组化的专业大厂、可提高产品可靠度、减少企业盲目开发的研发浪费、降低照明产品上市成本,此举将方便使用者快速维修与更换,在短时间内、以低代价,恢复照明的便利性与舒适感,让生产者与使用者达到双赢的结局.

50W防爆LED泛光灯工厂照明灯性能特点: 
我们精心设计蜂窝状补光结构,有效提高为具的效率。
采用恒流驱动,具有短路、过压保护功能;60WLED防爆灯还可订做成LED防爆应急照明灯,具有正常照明和应急照明两种工作方式,停电自动转换电池供电,应急时间可达50分钟。
有优良的电磁兼容性,不会对其它电器,输电网络造成任何干扰,电源自身具有优良的抗电磁*力;具有宽电压兼容特性,容差20%电压波动;
驱动电源采用防水封胶设计,确保元件不受腐蚀,功率因数>,使用效率90%以上。
整灯采用IIC级防爆结构,及IP66防护等级,具备优异的防爆防护性能,采用高硼硅钢化玻璃,可耐受高能量的冲击;
我们的LED防爆灯的全部外露紧固件及其附件均采用高防腐性能的不锈钢材料制成,采用一体式应急腔,无需另配应急箱,方便方装与维修。

50W防爆灯

50W防爆LED泛光灯工厂照明灯技术参数:
功    率:10W-250W
工作电压与频率:AC85V-260V/50~60Hz 
光源光效:≥110Lm/W 
光源色温:5900K±200K 
防护等级:IP66 
灯体材质及工艺:铸铝隔爆处理 
光源LED芯片品牌:CREE、飞利浦灯品牌光源芯片 
光学透镜:加厚钢化透明玻璃 
防爆等级:Exd IIC T6 Gb
防腐等级:WF2 
电源功能:过压、过流、过温保护、短路保护、防雷保护、浪涌保护
灯珠排列:点阵式排列,一颗不亮不影响灯具正常工作,一颗灯珠不亮不会造成一排灯珠不亮。
电源功能:过压、过流、过温保护、短路保护、防雷保护、浪涌保护
灯具电磁兼容特性:输入谐波电流符合的要求 
灯具安全性能:符合《灯具一般安全要求与试验》 
光源颜色:正白光5500K
灯具性能:防水防尘防爆防腐
防爆类型:隔爆型
证书:《防爆产品合格证》,《产品检测报告》,CE认证,ISO9001环境质量体系认证
安装方式:壁挂式、吸顶式(嵌入式)、路灯式
质保方式:壳体 7年保用,光源3年免费换新

适用范围:
1、性气体环境的1区、2区场所;
2、可燃性粉尘环境20区、21区、22区场所;
3、ⅡA、ⅡB、ⅡC类性气体环境;
4、T1~T6各温度组别场所;
5、油田、石化、钻井、化工企业等易燃易爆的危险场所;

以上就是具相关产品信息啦,本公司属于自产自销经营模式,旭球专业生产LED防爆灯,路灯款防爆灯,LED三防灯,LED投光灯,在LED灯具这块,我们有*的技术,我们深入了解了各行各业,在使用LED防爆灯时,所遇到的问题,并且已经一一解决。我们公司的产品能够达到*免维护并且*的用户满意度,实行三年质保期限,人为损坏除外,欢迎广大客户一起合作,我们始终坚持“技术为本、服务*”的服务宗旨,与您携手旭球照明,欢迎您选择我们旭球。您的照明专家.

 在中国LED芯片产业的发展过程中,早期产品主要以普通亮度为主,生产厂商也只有南昌欣磊等少数几家。进入2003年后,以厦门三安、大连路美为代表的几家芯片生产企业陆续成立。针对芯片市场的需求,这些生产企业纷纷把产品重点集中在高亮度芯片,这直接带动了中国高亮度芯片产量的快速增长。一时间,中国掀起了LED芯片产业发展的新高潮,高亮度芯片成为中国LED芯片产业发展的主要推动力。2006年中国LED芯片产量达到309.3亿个,产值达到11.9亿元。  
对于高亮度芯片来说,2003年至今可称为其高速发展阶段。特别是随着厦门三安、大连路美等一批高亮度芯片生产企业的产能释放,国内高亮度芯片产量出现井喷式增长,在经历了2003年-2005年产量增长率过*的快速增*后,2006年高亮度芯片产量继续保持过*的增长速度,增长率达到101.4%,芯片产值增长率也达到45.0%。

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