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详细介绍
一般特征
●VDS = 40V，ID = 12a
RDS（ON）< 12mΩ@ VGS = 10v（典型值。8.4米Ω）
RDS（ON）< 18mΩ@ VGS = 4.5v（典型值。12.3米Ω）
●高密度电池设计超低导通电阻
●*表征雪崩电压和电流
●稳定性好，均匀度高，
●优良的封装散热性好
高ESD能力●特殊工艺技术
应用
●负载开关
●硬开关和高频电路
●不间断电源
| 深圳市诚芯微科技有限公司 |
| 参考价 | 面议 |
更新时间：2021-03-13 11:00:25浏览次数：406
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一般特征
●VDS = 40V，ID = 12a
RDS（ON）< 12mΩ@ VGS = 10v（典型值。8.4米Ω）
RDS（ON）< 18mΩ@ VGS = 4.5v（典型值。12.3米Ω）
●高密度电池设计超低导通电阻
●*表征雪崩电压和电流
●稳定性好，均匀度高，
●优良的封装散热性好
高ESD能力●特殊工艺技术
应用
●负载开关
●硬开关和高频电路
●不间断电源
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