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N通道MOS管TDM3439

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更新时间:2021-08-24 15:40:06浏览次数:740

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产品简介

N通道MOS管TDM3439采用的沟槽技术
提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 这个
器件适合用作负载开关或PWM
应用。

详细介绍

N通道MOS管TDM3439详细介绍

N沟道增强型MOSFET TDM3439

N通道MOS管TDM3439

描述
TDM3439采用的沟槽技术
提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 这个
器件适合用作负载开关或PWM
应用。
一般特征
lRDS(ON)<8.7mΩ@ VGS = 4.5V
RDS(ON)<5.5mΩ@ VGS = 10V
l高功率和电流处理能力
l提供无铅产品
l表面贴装封装
应用
lPWM应用
l负载开关
l电源管理


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N沟道增强型MOSFET TDM3439产品详情

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  • TDM3439:DNF5*6-8

  • 品牌:TI/德州仪器

  • 封装形式:SMD

  • 型号:TDM3439

  • 批号:18+

N沟道增强型MOSFET TDM3439
描述一般特征
TDM3439采用的沟槽技术RDS(ON)<8.7mΩ@ VGS = 4.5V
提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 这个RDS(ON)<5.5mΩ@ VGS = 10V
器件适合用作负载开关或PWM高功率和电流处理能力
应用。提供无铅产品
封装DNF5*6-8表面贴装封装
应用范围:PWM应用、负载开关、电源管理


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