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东莞惠海半导体有限公司
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空气净化器电源60V30A贴片MOS管TO-252
*,高性价比,低开启电压1.5V,低内阻,低结电容,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强
深圳惠新晨电子有限公司【中低压MOS管厂家】,供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 *,质优价廉 大量现货 量大价优 欢迎选购,低内阻,结电容小,采用沟槽工艺,性能*
型号:HC037N06L参数:60V30A ,类型:N沟道场效应管,内阻30mR, 低结电容650pF, 封装:贴片(TO-252),低开启电压1.5V,低内阻,低结电容,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强
空气净化器电源60V30A贴片MOS管TO-252
空气净化器电源60V30A贴片MOS管TO-252
多型号如下:
型号:HC240N10LS N沟道场效应管,丝印HC310,100V3A 3N10 SOT23-3封装,内阻200mR
型号:HC160N10LS N沟道场效应管 丝印HC510 100V5A (5N10)SOT23-3封装,内阻155mR,可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪
型号:HC610 N沟道场效应管 100V6A 6N10 SOT23-3L 内阻80mR
型号:HC160N10L N沟道场效应管 100V10A(10N10) TO-252封装,内阻145mR,可用于雾化器、车灯电源等
型号:HC080N10L N沟道场效应管 100V17A(17N10)TO-252封装, 内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等
型号:HC021N10L N沟道场效应管 100V35A (35N10)TO-252封装 内阻22mR,可用于工控电源
型号:HC080N10LS N沟道场效应管 100V15A SOP-8封装 内阻68mR
型号:HC15N10 N沟道场效应管 100V15A(15N10)TO-252封装, 内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等
型号:HC012N06L N沟道场效应管 60V50A(50N06 )TO-252封装, 内阻12mR,汽车灯电源、电机驱动、控制器等
型号:HC012N06LS N沟道场效应管 55V12A SOP-8封装 内阻13mR
型号:HC037N06L N沟道场效应管 60V30A(30N06)TO-252封装, 内阻30mR,可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪
型号:HC037N06LS N沟道场效应管 60V30A SOP-8封装 内阻30mR
型号:HC080N06L N沟道场效应管 60V17A 15N06 TO-252封装, 内阻70mR
型号:HC080N06LS N沟道场效应管 丝印HC606 60V6A SOT23-3封封装 内阻90mR
型号:HC706 N沟道场效应管 60V7A SOP-8封装 内阻80mR
型号:HC020N03L N沟道场效应管 30V30A TO-252 内阻20mR
型号:HC3600M N沟道场效应管 30V8A SOT23-3封装 内阻22mR
型号:HC3400M N沟道场效应管 30V5.8A SOT23-3封装 内阻30mR
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。
场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单型器件,而晶体管是既有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双型器件。
有些场效应管的源和漏可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,大电压等,大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。
在使用MOSFET设计开关电源时,大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、大电压、大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素,这样的电路也许可以正常工作,但并不是一个好的设计方案。细致的,MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET,其驱动电路,驱动脚输出的峰值电流,上升速率等,都会影响MOSFET的开关性能。
当电源IC与MOS管选定之后,选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。
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