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东莞惠海半导体有限公司
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HC012N06L2替代FQD50N06 结MOS管60V50A
采用SGT工艺，结MOS管，低电容 、低内阻，高性能，高性价比，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强
深圳市惠新晨电子有限公司
型号:HC012N06L2 参数：60V50A ，类型：N沟道场效应管，内阻14mR， 低结电容1100pF，封装：贴片（TO-252），低开启电压1.5V，低内阻，低结电容,低开启电压
HC012N06L2采用的SGT工艺，结MOS管，低电容 、低内阻，高性能，高性价比，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强
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HC012N06L2优势替代HY1606D，替代HY1403D，替代HY1906D,替代NCE4060K 替代NCE3050K 替代CJU60N04 CJU50N06 CJU50N03 ME50N06 替代DTU50N06 替代IRF50N06，替代IRFR3707Z 替代NCE6050K
HC012N06L2广泛应用于LED驱动电源、LED汽车大灯驱动电源、舞台灯光、帕灯控制板等产品，高性价比
在客户正式量产订货前公司可免费提供样品测试
工厂规模：
可靠性测试及品质把控：
封装及测试流程：
公司库存实力展示：
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8~10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
使用优势
场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双型器件。
有些场效应管的源和漏可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
多型号如下：
型号：HC012N06L2 N沟道场效应管 60V50A 50N06 TO-252封装 内阻14毫欧 结MOS管SGT工艺
型号：HC012N06L N沟道场效应管 60V50A(50N06 )TO-252封装， 内阻12mR,汽车灯电源、电机驱动、控制器等
深圳市惠新晨电子一直致力于建设优良的芯片设计队伍、优良的产品应用队伍、优良的销售队伍，保持产品的不断创新，力争为客户带来大有竞争力的产品。为创造一个绿地球而努力，为今天为明天，惠新晨与你一起努力！
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