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东莞惠海半导体有限公司
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100V35A贴片MOS管HC021N10L
供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 *，质优价廉 大量现货 量大价优 欢迎选购，低内阻，结电容小，采用沟槽工艺，性能优越
产品型号：HC021N10L参数：100V35A ，类型：N沟道场效应管，内阻22mR，低结电容1880pF 封装：贴片（TO-252），低开启电压1.5V，低内阻，结电容小,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强
100V35A贴片MOS管HC021N10L
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HC012N10L优势替代HY1310D，替代HY1210D，替代CJU30N10
MOS管导通特性
导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源接地时的情况（低端驱动），只要栅电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源接VCC时的情况（驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在驱动中，通常还是使用NMOS。
MOS开关管损失
不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
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