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东莞惠海半导体有限公司
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景观照明60V7A场效应管 SOP-8封装贴片MOS
低内阻，结电容小,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强
型号:HC706参数：60V7A ，类型：N沟道场效应管，内阻70mR， 结电容435pF, 封装：贴片（SOP-8），低开启电压1.5V，低内阻，结电容小,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强
HC706采用SGT工艺，属于结MOS管，性能比沟槽工艺/平面工艺的MOS管好、温升低，低结电容，低内阻，高性能，高性价比，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强，低温升
景观照明60V7A场效应管 SOP-8封装贴片MOS
景观照明60V7A场效应管 SOP-8封装贴片MOS
HC706用途广泛可用于雾化器、香薰机、加湿器、LED电源、各种马达驱动电机，水磊控制器、于汽车大灯驱动电源，节日灯、圣诞灯、电动牙刷、锂电池保护板、数码产品、马达驱动电机，LED电源，LED汽车大灯电源，LED景观灯电源、LED舞台灯电源、LED车灯电源，LED舞台灯驱动电源，LED舞台灯控制板，LED景观照明驱动电源，LED灯驱动电源,雾化器，香薰机，加湿器、安防电源等产品
公司库存实力展示：
场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管。
场效应管通过投影一个电场在一个缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个缘体，所以FET管的GATE电流非常小。普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE下的缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管小省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双型晶体管。
惠新晨电子一直致力于研发和销售高品质产品,技术包括平面工艺，沟槽工艺和的SPLIT GATE技术。产品专注于节能，可靠和不断创新，以不断提供高性价比的产品来满足市场需求。
惠新晨电子致力于大限度地满足客户的需求，为客户提供可靠和具成本优势的产品。坚持不断创新，不断改善，建立与工程师和客户共同价值的合作伙伴。
惠新晨电子拥有一组具有丰富半导体经验的设计、研发和销售团队，团队多数成员在世界优良公司有过丰富的工作经验。
惠新晨电子广泛整合国外和亚太地区的生产技术和丰富的人力资源，在产品和市场上不断开拓创新。
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