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100V39A场效应管 LED驱动电源SGT工艺MOS管

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具体成交价以合同协议为准

产品型号HC018N10L

品       牌

厂商性质生产商

所  在  地深圳市

更新时间:2020-02-28 09:28:33浏览次数:953次

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产品简介

100V39A场效应管 LED驱动电源SGT工艺MOS管
低结电容,低内阻,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强

详细介绍

 

深圳市惠新晨电子有限公司

型号:HC018N10L参数:100V39A ,类型:N沟道结MOS场效应管,内阻22毫欧, 低结电容1000pF, 封装:贴片(TO-252)

HC018N10L是一款采用SGT工艺结MOS管,低开启电压1.5V,低内阻,低结电容,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强

HC018N10L可以应用于LED驱动电源,电子打火、驱动电机、工控电源等产品,高性价比

HC018N10L是一款专门为应用于电弧打火市场设计开发的一款结MOS管,低开启电压 低内阻,特别适合应用于电弧打火,其特点是打火猛、温度低、打火时间长、火花四射

备注:惠新晨电子支持根据您的要求定制您自己的LOGO及定制白板出货

 

 MOS开关管损失

      不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。

      MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,损失也越大。

      导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

     MOS管驱动

      跟双性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需要速度。
      在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时*要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
      第二注意的是,普遍用于驱动的NMOS,导通时需要是栅电压大于源电压。而驱动的MOS管导通时源电压与漏电压(VCC)相同,所以这时栅电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

      上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。现在也有导通电压小的MOS管用在不同的领域里,但在12V汽车电子系统里,一般4V导通就够用了。

      MOS管的驱动电路及其损失,可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。讲述得很详细,所以不打算多写了。

      MOS管应用电路

      MOS管较显著的特性是开关特性好,所以被广泛应用在需要电子开关的电路中,常见的如开关电源和马达驱动,也有照明调光。

100V39A场效应管 LED驱动电源SGT工艺MOS管

100V39A场效应管 LED驱动电源SGT工艺MOS管

 

多型号如下:

型号:HC240N10LS N沟道场效应管,丝印HC310,100V3A 3N10 SOT23-3封装,内阻200mR 

型号:HC160N10LS N沟道场效应管  丝印HC510    100V5A (5N10)SOT23-3封装,内阻155mR,可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪

型号:HC610            N沟道场效应管    100V6A  6N10  SOT23-3L     内阻80mR

型号:HC160N10L    N沟道场效应管 100V10A(10N10)  TO-252封装,内阻145mR,可用于雾化器、车灯电源等

型号:HC080N10L    N沟道场效应管  100V17A(17N10)TO-252封装, 内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等

型号:HC021N10L    N沟道场效应管    100V35A (35N10)TO-252封装 内阻22mR,可用于工控电源

型号:HC018N10L    N沟道结MOS场效应管 100V39A TO-252封装    内阻22毫欧 开启电压1.5V 

型号:HC018N10LS    N沟道结MOS场效应管 100V10A SOP-8封装    内阻22毫欧 开启电压1.5V 

型号:HC080N10LS  N沟道场效应管   100V15A SOP-8封装                内阻68mR

型号:HC15N10       N沟道场效应管   100V15A(15N10)TO-252封装,  内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等

型号:HC012N06L    N沟道场效应管   60V50A(50N06 )TO-252封装,   内阻12mR,汽车灯电源、电机驱动、控制器等

型号:HC012N06LS  N沟道场效应管 55V12A  SOP-8封装                   内阻13mR

型号:HC037N06L    N沟道场效应管  60V30A(30N06)TO-252封装,     内阻30mR,可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪

型号:HC037N06LS  N沟道场效应管  60V30A     SOP-8封装                 内阻30mR

型号:HC080N06L    N沟道场效应管  60V17A 15N06 TO-252封装,      内阻70mR

型号:HC080N06LS   N沟道场效应管 丝印HC606  60V6A     SOT23-3封封装           内阻90mR

型号:HC706           N沟道场效应管  60V7A  SOP-8封装                             内阻80mR

型号:HC020N03L    N沟道场效应管  30V30A TO-252                         内阻20mR

型号:HC3600M       N沟道场效应管  30V8A       SOT23-3封装             内阻22mR

型号:HC3400M       N沟道场效应管  30V5.8A    SOT23-3封装             内阻30mR

型号太多,无法一一列出来,具体可以上惠新晨电子网看或者来电,给您带来不便敬请谅解,谢谢

 

工厂规模:

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可靠性测试及品质把控:
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封装及测试流程:

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公司库存实力展示:

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 我们一直保持与国内*的晶圆厂、封装厂及测试厂合作,对产品品质精益求精,力把品质关。为客户提供的不仅仅是的产品,还有完善的解决方案和优质的服务,相信客户会成为我们的伙伴并一起取得巨大的商业成功。本公司常年备有大量的现货库存,并接受订货服务。
  我们一直致力于建设优良的芯片设计队伍、优良的产品应用队伍、优良的销售队伍,保持产品的不断创新,力争为客户带来大有竞争力的产品。为创造一个绿地球而努力,为今天为明天,惠新晨与你一起努力!


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