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东莞惠海半导体有限公司
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驱动电机结MOS管 低开启1.5V 100V39A贴片
低结电容，低内阻,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强
深圳市惠新晨电子有限公司
型号:HC018N10L参数：100V39A ，类型：N沟道结MOS场效应管，内阻22毫欧， 低结电容1000pF， 封装：贴片（TO-252）
HC018N10L是一款采用SGT工艺结MOS管，低开启电压1.5V，低内阻，低结电容,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强
HC018N10L可以应用于LED驱动电源，电子打火、驱动电机、工控电源等产品，高性价比
HC018N10L是一款专门为应用于电弧打火市场设计开发的一款结MOS管，低开启电压 低内阻，特别适合应用于电弧打火，其特点是打火猛、温度低、打火时间长、火花四射
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MOS开关管损失
不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
驱动电机结MOS管 低开启1.5V 100V39A贴片
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工厂规模：
可靠性测试及品质把控：
封装及测试流程：
公司库存实力展示：
我们一直保持与国内*的晶圆厂、封装厂及测试厂合作，对产品品质精益求精，力把品质关。为客户提供的不仅仅是的产品，还有完善的解决方案和优质的服务，相信客户会成为我们的伙伴并一起取得巨大的商业成功。本公司常年备有大量的现货库存，并接受订货服务。
我们一直致力于建设优良的芯片设计队伍、优良的产品应用队伍、优良的销售队伍，保持产品的不断创新，力争为客户带来大有竞争力的产品。为创造一个绿地球而努力，为今天为明天，惠新晨与你一起努力！
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