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东莞惠海半导体有限公司
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N沟道60V MOS管8A60V SOP-8场效应管
内阻34mR.*，性价比高
型号:HC037N06LS参数：60V8A ，类型：N沟道场效应管，内阻34mR，低结电容655pF 封装：贴片（SOP-8），低开启电压1.5V，低内阻，低结电容,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强
HC037N06LS优势替代替代CJQ4438,替代HY1306S
深圳惠新晨电子有限公司【中低压MOS管厂家】，供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 *，质优价廉 大量现货 量大价优 欢迎选购，低内阻，结电容小，采用沟槽工艺，性能优越
深圳市惠新晨电子有限公司
周工
深圳市宝安区西乡街道宝源路1053号资信达大厦
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惠新晨电子一直致力于研发和销售高品质产品,技术包括平面工艺，沟槽工艺和的SPLIT GATE技术。产品专注于节能，可靠和不断创新，以不断提供高性价比的产品来满足市场需求。
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