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东莞惠海半导体有限公司
阅读:1001发布时间:2018-7-21
型号:HC037N06L参数:60V30A ,类型:N沟道场效应管,内阻30mR, 低结电容650pF, 封装:贴片(TO-252),低开启电压1.5V,低内阻,低结电容,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强
HC037N06L优势替代CJU20N06,替代NCE6020K,替代HY1306D
深圳市惠新晨电子有限公司
周工
深圳市宝安区西乡街道宝源路1053号资信达大厦
深圳惠新晨电子有限公司【中低压MOS管厂家】,供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 *,质优价廉 大量现货 量大价优 欢迎选购,低内阻,结电容小,采用沟槽工艺,性能*,
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