可控硅击穿的都有哪些原因呢？电力工作者在日常的工作中，zui不愿看到的就是电路中的可控硅被电压击穿了，不仅会严重干扰正常的电力输送工作，而且还会对电力设备造成非常严重的影响，因此本文就简单介绍可控硅击穿的几个主要原因。
    一、过热击穿，过热击穿是指在工作电流并不超过可控硅额定电流的情况下而发生 的热击穿，发生这种击穿的原因主要是可控硅的辅助散热装置工作不良而引起可控 硅芯片温度过高导致击穿。对于采用水冷方式工作的，主要检查进水温度是否过高 (一般要求水温应在 25℃以下，但zui高不能超过 35℃)，流量是否充足;对于采用 风冷方式工作的，应检查风扇的转数是否正常，还有环境温度也不能太高等，但无 论是风冷的还是水冷的，如果你在更换可控硅时只是更换了芯片的话，安装时要注 意芯片与散热器之间的接触面一定要保证良好的接触，接触面要平整，不能有划痕 或凹凸且不能有灰尘夹入，还要保证有足够且均匀的压力，特别是对水冷的可控硅。
    二、过流击穿，过流击穿就是电流在通过可控硅芯片时在 芯片内部产生热效应，使芯片温度升高，当芯片温度达到 175℃时芯片就会失效且 不能恢复。在正常的使用条件下，只要工作电流不超过可控硅额定电流是不会发生 这种热击穿的，因为过流击穿原理是由于温度升高所引起的，而温度升高的过程是 需要一定时间的，所以在短时间内过流(几百毫秒到几秒时间)一般是不会击穿的。
    三、过压击穿、过压击穿是可控硅击穿的主要原因之一，可控硅对过压的承受能力几乎是没有 时间的，即使在几毫秒的短时间内过压也会被击穿的，因此实际应用电路中，在可 控硅两端一定要接入 RC 吸收回路，以避免各种无规则的干扰脉冲所引起的瞬间过 压。如果经常发生可控硅击穿，请检查一下吸收回路的各元件是否有烧坏或失效的。
    电路的可控硅击穿，在电力工作者的日常工作中经常会发生，电力工作者在日常的工作中，应当密切关注电力设备的运行状态，做好电气设备的维护工作，尽量避免可控硅被击穿故障的发生。