相关作用
去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：A16B-2203-0291一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。
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在模拟电路的设计中，经常会用到一种特殊的夹层电阻，但是关于该电阻的相关介绍较少。文章提出了一种夹层电阻的结构，对其原理进行了详细的分析，在此基础上，利用该夹层电阻，设计了一款支持宽工作电压范围的振荡器。zui后，又对该振荡器进行优化改进，使其能适应3~30 V的宽工作电压，并且在5.5~30 V范围内保持输出频率不变，进一步阐述了该夹层电阻的原理和特性。
1 引言
在集成电路的线路设计中，特别是模拟电路的设计中，不可避免地都会需要用到电阻。对于低阻值的应用，一般可以用铝线电阻、多晶电阻、N+电阻或者P+电阻等实现。对于更大一点的电阻，则可以用N阱电阻、P阱电阻或者高阻多晶等实现。对于更高阻值要求，或者阻值要求高但是占用面积要小且精度要求不高，这时候可以用倒比的MOS管或者夹层电阻来实现。顾名思义，夹层电阻就是被其他层次夹在中间的电阻，夹层电阻的方块阻值一般在5~50 kΩ，随着电压的提高，还可以到100 kΩ或更高。
2 夹层电阻结构及原理特性分析
2.1 夹层电阻的结构
在集成电路工艺中，实现夹层电阻有很多种方法。本文研究的夹层电阻就是其中的一种，它不需要通过额外增加光刻MASK层就能实现。图1为该夹层电阻的平面示意图。
图1中，夹层电阻区为低浓度的P型注入区，它主要利用工艺中的现有层次实现，比如Pbase层或者Pbody层。该P型夹层电阻区被N+和N阱*包围，因此该结构就是一个被N+和N阱两个层次夹在中间的P型夹层电阻。
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