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定做显示屏流程如下；
               *步：确定LED显示屏安装位置（户外或者室内），测量大概尺寸（长度及高度）

                           第二步：确定显示屏观看距离，厂家*合适LED大屏型号。

                          第三步：厂家提供LED大屏幕设计/制作/安装/报价方案

                          第四步：沟通协商后签订LED显示屏订购合同

                         第五步：厂家组织全彩显示屏生产/老化/测试

                        第六步：生产完成，发货（客户可来厂家观看成品效果）

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随着多媒体技术的发展，LED电子显示屏广泛应用于商业展示，产生良好的广告效应，设计优秀的显示屏支撑结构同时可成为城市建筑物中靓丽的风景线。结合显示屏的视距要求以及投资地域等特点通常会根据建设地点及建筑物要求进行结构类型设计。LED显示屏通常采用独立落地形式或附属建筑物进行设置（图1，2）。针对不同显示屏形式的支撑结构，应准确分析其受力特性选用相应的结构形式，本文将对LED电子显示屏支撑结构进行分类总结，提出各种支撑结构方案适用的范围、设计难点以及相应的优化设计方案和构造措施。
    落地式LED电子显示屏多设置于城市广场或重要交通交叉处。分析落地显示屏支撑结构受力特性可知，支撑结构宜采用空间钢桁架结构。在基础上设置4根钢柱组合形成空间格构柱。上部屏体部分采用多层水平空间桁架结构，既可满足结构受力要求，又可满足检修通道的设置。
    城市建设密度较大，只有很少区域能够满足落地式显示屏的建设条件。而LED电子显示屏具有播放动态画面广告等优点，城市商业繁华地段需建设大量的LED显示屏，解决该矛盾的方案就是建设附属于已有建筑物的显示屏。
    根据建筑物的建设条件、改造条件以及建筑物高度通常将附属于建筑物的LED显示屏支撑结构分为壁挂式显示屏支撑结构和楼顶式显示屏支撑结构。
壁挂式显示屏支撑结构多采用单层钢结构固定于主体结构侧面，内部设置检修通道。中国电信温州分公司南站大楼LED大屏幕工程显示屏24.0 mｘ 13.4m，属于典型壁挂式显示屏支撑结构，采用方钢管160 mmｘ160 mmｘ6 mm形成节点体系，槽钢14a上铺设6 mm厚压纹钢板形成检修通道，各节点通过6个M16锚栓锚固于主体结构框架柱侧。该工程正立面及侧立面见图4。
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1.3楼顶式支撑结构
    实际使用中壁挂式LED电子显示屏由于占据较大的建筑物外立面，将会影响到建筑物的采光，因而壁挂式电子显示屏仅适用于商场等大型商业建筑。建筑高度适中的办公建筑及民用住宅建筑设置的LED电子显示屏只能设计在建筑物顶部。此时显示屏支撑结构体系应归类为楼顶显示屏支撑结构。
    中国通信服务广西公司显示屏支撑结构设置于大楼顶部，充分利用原主体结构剪力墙设置钢格构体系，梁柱均采用格构构件，形成具有良好受力状态的空间桁架体系。显示屏屏体有效尺寸17.5 mx8.0 m，钢格构柱4根主肢采用100 mmｘ100 mmｘ5 mm，水平横材采用100 mmｘ100 mmｘ5 mm、斜腹杆为口60mmｘ60 mmｘ5 mm，其中水平横材与竖材各自组成桁架体系抵抗侧向风荷载和地震荷载。节点通过10个M12螺栓锚固于主体结构。该工程正立面如图5所示。
    2、荷载作用
    LED电子显示屏采用落地式、壁挂式或楼顶式均需计算*荷载、活荷载、风荷载、雪荷载、裹冰荷载、地震荷载等荷载作用（1）。其中*荷载需计入屏幕自重荷载，活荷载需考虑屏体检修涉及的检修荷载。荷载组合系数应符合规范要求。
    壁挂式或楼顶式显示屏其自振周期应结合主体结构进行整体分析，通常情况下可选用主体结构自振周期进行计算（2、3），并分析高振型对楼顶式支撑结构的影响（4）。风荷载的计算应按照围护结构进行设计分析，对大型支撑结构应根据具体结构形式进行深入分析（5）。地震荷载的计算应综合考虑双向水平地震和竖向地震作用，对壁挂式支撑结构尤其要重视罕遇地震下竖向地震作用的影响分析。
    此外电子显示屏内部设置有电子显示单元，长时间的照明及其他设备的运作均会带来过多的热量，内部易出现散热问题，支撑结构内部布置有大量的电力线路，线路老化等问题也易导致火灾发生。显示屏支撑结构在此类意外作用发生时应有足够的抵抗能力，不致发生连续性倒塌破坏，需加强关键构件支撑节点的设计，提高安全储备。
      
    落地式电子显示屏支撑结构通过与基础连接的柱体承担上部屏体结构的荷载，可按照悬臂梁结构进行分析计算。落地式支撑结构通常采用单柱或双柱加横梁式结构，其余类型可结合建筑造型选用合适的支撑结构体系。柱体设计可采用混凝土结构、钢管结构以及格构钢柱，横梁可选用格构梁等钢结构类型。其基础选型应根据场地的地质条件确定，并应进行抗压、抗拔、抗弯和抗倾覆计算。结合悬臂结构的受力特点，落地式支撑结构的关键构件为竖向柱体设计，选用安全合理符合工艺要求的截面形式。
    结合显示屏支撑结构的建设周期等特点，选用圆形钢柱和格构钢柱截面进行分析，研究相同应力应变情况下钢材的用量。采用有限元分析软件建立模型，圆形钢柱采用彩1000×15，格构钢柱4根主肢采用300 mm×300mm×10mm，水平横材采用200mmｘ100 mmｘ6mm、斜腹杆为100mｘ100 mm×6mm，根据悬臂结构受力特点，将上部屏体承受荷载简化到柱体顶部，根据简化后的模型对两种柱体进行有限元分析。分析结果表明，对落地式支撑结构，圆柱式截面及格构式截面均为良好的截面形式。户外电子显示屏由于需维修电子显示元件，因而需设置上人通道，采用格构式柱可充分利用格构空间设置上人通道，不会像圆截面一样由于设置上人孔洞导致柱根部截面出现薄弱部位。当由于景观需设置圆形截面时应对上人部位进行局部加固处理。当两种截面类型均能满足实用及外观要求时，应优先采用格构柱。
    壁挂式支撑结构通过钢节点锚固于主体结构物侧部，通常可采用框架柱固定节点，当节点间距不能满足要求时，可采用框架梁作为辅助支点设计位置。横梁构件固定于支撑点上形成水平向片状结构体系，该体系承担显示屏传来的风荷载并作为检修通道承担检修荷载，属于壁挂式支撑结构的主要受力体系。屏体龙骨均布置在水平片状结构体系上。通常该体系可采用水平放置的桁架，对于节点距离较小的体系可直接采用型钢作为横梁，计算模型可采用连续梁方案。水平片状结构体系是壁挂式支撑结构的关键构件。图6，7研究了两种水平片状结构体系的应力应变特点，主体结构轴线间距为7500mm，在楼层中部设置的检修平台中间无法设置支撑点，因而该工程zui大变形点发生在楼层中部位置。根据变形特点分别采用两种结构形式进行分析。节点构件均采用160 mmｘ160 mm×6 mm，单独型钢水平支撑结构采用100 mm×l00 mm×5 mm，组合桁架水平支撑结构弦杆采用50 mmｘ50 mmｘ4 mm，斜腹杆采用30mmｘ30 mm×3 mm。
    根据图6，7的分析结果可知，当支撑结构体系总质量相同的情况下，采用斜腹杆组合桁架结构比采用直腹杆组合桁架结构变形小。结果表明，水平片状结构体系采用斜腹杆组合桁架结构可有效降低支撑结构变形，尤其当框架轴线间距较大，中间区域无法连续设置支点时，增加斜腹杆密度可有效降低支撑结构变形。
    楼顶式支撑结构需结合楼顶原有结构布置进行设计，充分利用原有主体结构体系承担荷载对优化楼顶式支撑结构体系非常重要。通常可结合建筑物造型采用平面桁架、空间桁架或网架结构等多种结构形式，结构方案灵活多变，可采用有限元分析软件进行建模分析计算。针对楼顶轻钢的特点应注意自振周期的特殊性以及鞭梢效应，宜对楼顶式支撑结构与大楼建立整体模型进行有限元分析，研究支撑结构的应力应变特性。
    楼顶式支撑结构属于空间结构体系，其与主体结构的连接方式有多种类型，需根据实际主体结构顶部的情况确定。不同的结构类型受力性能差别很大，只有采用有限元方法分析整体空间结构的受力状态才能得到符合实际的设计方案。图8为结合实际工程主体结构突出丁页面的剪力墙与下部柱顶布置支撑点形成的网架结构，钢柱和支撑于剪力墙的横钢梁采用90 mmｘ90 mmｘ5 mm，横向次钢梁选用组合双角钢2ｘL40 ｘ4，斜腹杆均采用组合双角钢2ｘL30 ｘ3。采用钢材总质量为13 900 kg，柱构件根部应力zui600习大，其值为133 N/mm2，其余构件应力均不大于 N/mm2，平面内zui大变形为3.08 mm，满足变形要求（6）。图9采用空间桁架结构体系，构件均选用方钢管，其中柱和横钢梁支撑构件 100 mm×100 mmｘ5mm，次钢梁80 mmｘ80 mmｘ5m，斜腹杆60mmｘ60 mmｘ4 mm，zui大应力值135 N/mm2，zui大变形值3.08 mm，钢材总质量14100 kg。
    对比两种结构类型可知，采用相同重量的网架结构体系与空间桁架结构体系的应力和应变相差不多，两种结构体系效果相近。综合考虑施工难度及维护方便等因素，楼顶式支撑结构宜选用空间桁架形式。
    4、节点分析
    采用钢构件为主要构件的显示屏支撑结构存在大量的连接节点，节点的准确设计对整体结构的安全性能至关重要。
    支撑结构与混凝土基础连接采用预埋件，与主体混凝土结构的连接采用40c-学锚栓和植筋，在与梁体连接处优先采用对穿螺栓。所有节点均不得采用膨胀螺栓。基础节点设置的锚栓数量应满足承载力要求，并按照对称原则进行等间距布置。落地式支撑结构属于悬臂型结构体系，其柱根部应力较大；壁挂式支撑结构同样属于悬臂型结构体系，其节点根部应力较大。针对与基础及主体结构连接节点的应力分布特点，采用在根部对节点进行处理的方案进行优化设计，可有效改善节点应力并降低钢材用量。图10为优化后的两种根部节点类型。
　　  采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。
    PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础
    有机发光二极管又称为有机电激光显示、有机发光半导体。由美籍华裔教授邓青云（Ching W. Tang）于1979年在实验室中发现。OLED显示技术具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、*反应速度等优点。但是，在价格（较大显示面板）、寿命、分辨率暂无法与液晶显示器匹敌。
    micro LED即LED微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮，可看成是户外led显示屏的微缩版，将像素点距离从毫米级降低至微米级。
    Micro LED display，则是底层用正常的CMOS集成电路制造工艺制成LED显示驱动电路，然后再用MOCVD机在集成电路上制作LED阵列，从而实现了微型显示屏，也就是所说的LED显示屏的缩小版。
    5、半导体
    半导体（semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上有影响力的一种。
    6、外延生长
    在基片上生长结晶轴相互*的结晶层的技术。用于制作没有杂质的结晶层。包括在基片上与气体发生反应一积累结晶层的VPE（气相生长）法、以及与溶液相互接触以后生长结晶相的LPE（液相生长）法等。
    外延生长技术发展于50年代末60年代初。当时，为了制造高频大功率器件，需要减小集电极串联电阻，又外延生长 要求材料能耐高压和大电流，因此需要在低阻值衬底上生长一层薄的高阻外延层。外延生长的新单晶层可在导电类型、电阻率等方面与衬底不同，还可以生长不同厚度和不同要求的多层单晶，从而大大提高器件设计的灵活性和器件的性能。外延工艺还广泛用于集成电路中的PN结隔离技术（见隔离技术）和大规模集成电路中改善材料质量方面。
    7、衬底
    衬底是指蓝宝石晶棒或者是硅经过切片，清洗，还没有其他工艺加工的裸片。也叫基片。分为绘图衬底，和化工学衬底两种。绘图衬底指的是将图片或文字充满整个版面使其为底纹。化工学衬底zui常见的为氮化物衬底材料等。晶体管和集成电路都是在半导体片子的表面上来制作的，这里的半导体片就是衬底（片）。半导体衬底不仅起着电气性能的作用，而且也起着机械支撑的作用。
    金属有机化学气相淀积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition ,简称MOCVD）1968年由美国洛克威公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。该设备精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多科学为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的*电子设备，主要用于GaN（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电行业zui有发展前途的设备之一。
    9、现象下降光效
    光效下降现象是指向芯片输入较大电力时，LED的发光效率反而会降低近20%的现象。该现象zui早在1999年被*报道，一直是制约LED找，照明行业发展的重要障碍。
    10、量子阱quantum well
    量子阱（quantum well）是指与电子的德布罗意波长可比的微观尺度上的势阱。量子力学发展早期就提出了量子阱的概念。利用带隙较宽的层夹住带隙窄且极薄的层形成的构造。带隙较窄的层的电势要比周围（带隙较宽的层）低，因此形成了势阱（量子阱）。在LED和半导体激光器中，量子阱构造用于放射光的活性层。重叠多层量子阱的构造被称为多重量子阱。
    11、LED外延片
    LED外延片生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上，气态物质 InGaAIP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。
    LED外延片衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料，需要不同的LED外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。
    GaN，即氮化镓，属六角纤锌矿结构。在T=300K时为，是半导体照明中发光二极管的核心组成部份。通常工业上采用MOCVD设备来生长。GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是zui高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。它在一个元胞中有4个原子，原子体积大约为GaAs的一半。因为其硬度高，又是一种良好的涂层保护材料。
    13、蓝光LED
    蓝色发光二极管是氮化镓二极管，发光二极管由含镓（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成的二极管，当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。砷化镓二极管发红光，磷化嫁二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光，氮化镓二极管发蓝光。
    14、演色性
    演色性是指光源照射物体时呈现色彩的视觉效果质量高低的评价。这种评价的数值是以基准光下所看到的色彩指数为依据的，物体在全色光谱的照射下所反映的色彩zui真实。日光是演色性的等比例的全色光源，舞台及影视照明光源除发光效率要求要高，而且要求光源显色性能好，被照射物体的颜色失真少。
    15、LED的伏安特性
    所谓LED的伏安特性，即是流过LED P-N结(可参考LED革命,革命一文)的电流随电压变化的特性，在示波器上能十分形象地展示这种变化，一根完整的伏安曲线包括正向特性与反向特性。通常，反向特性曲线变化较为陡峭，当电压超过某个阈值时，电流会出现指数式上升，从而击穿LED P-N结。而LED的正向电压也是由其正向电流决定的。从LED的伏安特性可知，正向电流的变化会引起正向电压的相应变化，确切地说，正向电流的减小也会引起正向电压的减小。所以在把电流调低的时候，LED的电压也就跟着降低，这就会改变电源电压和负载电压之间的关系。
    16、调光
    调光的概念，顾名思义就是通过外部设备或信号（电子调光器、PWM信号、IR信号和1-10号）来调节光线的亮度及灯的开关功能。
    17、EPI
    外延工艺(Epitaxy, 简称Epi)是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层(Si/Si)，也可以是异质外延层(SiGe/Si或SiC/Si等)；同样实现外延生长也有很多方法，包括分子束外延(MBE)，超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)，常压及减压外延(ATM & RP Epi)等等。
    18、c面生长
    C面就是GaN的表面。
    19、分辨率
    LED显示屏像素的行列数称为LED显示屏的分辨率。分辨率是显示屏的像素总量，它决定了一台显示屏的信息容量。
    20、LED亮度
    正常情况下，室内LED显示屏的亮度和室外LED显示屏的亮度是不同的，一般情况下，室内LED显示屏的光强在500μcd-50mcd,室外LED显示屏的光强在100mcd-1000mcd,甚至在1000mcd以上。
   21、点间距
    点间距是指LED显示屏两两像素的中心距，单位面积内像素的数量称为像素密度，单位面积内所含显示内容数量称为信息容量。点间距、像素密度、信息容量是描述的同一概念，即点间距是从两两像素间的距离来反映像素密度，点间距和像素密度是显示屏的物理属性，信息容量则是像素密度的信息承载能力的数量单位。点间距越小，像素密度越高，信息容量越多，适合观看的距离越近。点间距越大，像素密度越低，信息容量越少，适合观看的距离越远。
    22、灰度
    灰度是指像素发光明暗程度，一种基色的灰度一般有8级至1024级。正常情况下，LED显示屏的灰度为256级。
    23、LED像素模块
    LED排列成矩阵或笔段，预制成标准大小的模块。户外显示屏用的像素模块因为其每一像素由两只以上LED管束组成，故又称其为集管束模块。
    24、双基色
    双击色LED显示屏，即每一个象素有两个LED管芯，红光和绿光管芯，红光管芯亮时该像素为红色，绿光管芯亮时该像素为绿色，红绿两管芯同时亮时则该像素为黄色。
    25、全彩色
    红绿双基色再加上蓝基色，三种基色就构成全彩色。由于构成全彩色的蓝色管和纯绿色管芯的技术现在已经成熟，故市面基本都用全彩色。
    UV LED是LED的一种，是单波长的不可见光，一般在400nm以下。主要有365nm和395nm。UV胶固化一般使用365nm波长。通过专门设计使UVLED能发出一个完整连续紫外光带，满足封边，印刷等领域的生产需要。线光源有超长的寿命、冷光源、无热辐射、寿命不受开闭次数影响、能量高、照射均匀提高生产效率，不含有毒物物质比传统的光源更安全、更环保。

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