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InGaAs光电探测器

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产品型号IAM-100

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厂商性质生产商

所在地深圳市

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更新时间：2017-04-14 10:29:44浏览次数：1048次

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深圳市飞博源光电技术有限公司

经营模式：生产厂家

商铺产品：2条

所在地区：广东深圳市

联系人：魏一铭（销售工程师）

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产品简介

InGaAs雪崩光电二极管特点：
高速平面正照型 TO-Can封装或带尾纤输出 Z大可用增益达到20
应用：光通讯接收设备 CATV接收机 OTDR

详细介绍

InGaAs雪崩光电二极管

     特点：
       高速
       平面正照型
       TO-Can封装或带尾纤输出
       zui大可用增益达到20
     应用：
       光通讯接收设备
       CATV接收机
       OTDR
     光电特性(T = 22℃)：

参数	符号	测试条件	zui小值	典型值	zui大值
光谱响应范围（nm）	λ		1000		1700
光敏面直径(um)			φ50
响应度(A/W)	Re	λ=1.55um,M=10,φ=1uw	8	8.5
击穿电压(V)	VBR	ID=100uA, φ=0	30		60
击穿电压温度系数(V/℃)	δ	TC=-40~+85℃		0.1	0.15
暗电流(nA)	ID	M=10, φ=0		1	10
总电容(pF)	Ctot	M=10, φ=0,f=1MHz		0.6	1
响应时间(ns)	fT	M=10, φ=0, λ=1.55um	0.15	0.3	0.5
zui大可用增益	Mmax	VR=0.98VBR	20
工作电压(Vbr)	VR	M=10, φ=1, λ=1.55um	0.9		0.95

note:图片仅供参考,尺寸以实物为准,具体性能指标见每支器件参数

InGaAs光电探测器模块

InGaAs 光电探测器模块集成了InGaAs 雪崩光电探测器、探测器驱动、信号检测放大、信号放大整形输出等部分,可应用于连续或者脉冲光信号的检测、放大整形及温度传感等领域。输出高稳定电压信号给用户,免去客户在使用雪崩光电探测器时的弱信号处理环节。电路久经考验,使用方便。全金属外壳可防止电磁辐射。电路适用范围宽，可驱动各种型号的InGaAs APD。也可根据客户需求进行定制。

特点

·高响应度，高灵敏度	·低噪音
·高性能，低价格	·金属外壳，防电磁辐射
·5V电压输入	·使用方便

性能指标

参数	zui小		典型		zui大		单位
APD响应波长范围	900		1550		1700		nm
APD响应度	7		8.5		10		uA/uW
APD响应光敏面*	50		80		200		um
APD驱动电压**	38		-		65		V
输入工作电压	4.5		5		5.5		V（DC）
工作温度	0		-		50		℃
储藏温度	-20		-		70		℃
zui小输入光功率***	-60		-40		-		dBm
输入饱和光功率****	-		1		5		mW
输出饱和电压	-		-		3.8		V
带宽	DC-1	DC-10	DC-50	DC-100	DC-200	DC-1000	MHz
噪音密度	10000		500		80		nV/rt.Hz
输入光接口	1：FC/APC 2：FC/PC可选
输出接口	1：SMA 2：BNC可选
光纤类型	1:SMF-28e+ 2:MM62.5 3:MM50 可选
电路放大倍数*****	0-100万倍
模块尺寸	100 8520mm or 15012020mm or 707050mm