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深圳市唐正电子有限公司
黑体与探测器样品距离:200mm
放大电路增益:72.5的dB
型号Type | PIR600B-P |
封装Encapsulation | TO-5 |
灵敏元面积Element Size/Type | 2.0mm ×1.1mm ×Gap 0.9mm Dual,双元 |
基片材料Window Material | 硅 Si |
基片厚度Window Thickness | 0.5mm |
窗口尺寸Window Size | 4*3mm |
工作波长Pass Band | 5.5-14μm (www.nisaila.com) |
平均透过率Transmittance | >75% |
输出信号Signal [Vp-p] | >≥ 3 Vp-p |
环境温度 25ºC 黑体温度 420K( 147˚C ) 调制频率 1赫兹 放大倍数 72.5 dB(运算放大器5000倍) Vd= 5V,Rs=47KΩ | |
灵敏度Sensitivity | 3300V/W |
探测率(D)Detectivity | 1.5×108 cmHz1/2/W |
噪声Noise(Vp-p) | <170mVp-p Max.(Typ. 100mVp-p) |
环境温度 25ºC 放大倍数 72.5 dB(运算放大器5000倍) Vd= 5V,Rs=47KΩ | |
平衡度Balance | <15% |
工作电压Operating Voltage | 2.2-15V |
工作电流Operating Current | 8.5-24μA |
(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃) | |
源极电压Source Voltage | 0.4-1.1V |
(VD=5V,Rs=47kΩ,25℃) | |
工作温度Operating Temperature | -30℃- +70℃ |
保存温度Storage Temperature | -35℃- +80℃ |
响应时间 | 加电后信号稳定输出所需时间 <15S |
[*] 平衡度 = VAB/|VA+VB| ×* VAB=双元的灵敏度 (mVp-p) VA = A单元的灵敏度 ( mVp-p ) 测试方法参见图2及3。 | |
视场Field of View | X:140°Y:130°参见图:4及5 |
可靠性评价
测试项目 | 测试条件 | 测试仪器 | 测试标准 |
高温工作 | 70℃ 72小时 | 调温箱 | 测试之后,传感器在自然环境中放置3小时后测电性能。 1.外观无明显变化 2.电性能参数变化在20%以内
|
耐湿性 | 60℃,95%RH,72小时 | 调温调湿箱 | |
低温存储 | -40℃ 72小时 | 调温箱 | |
高温存储 | 70℃ 72小时 | 调温箱 | |
热冲击 | -40℃,1小时→室温,1小时→70℃,1小时 10个循环 | 调温箱 | |
自然老化 | 室外,30天 | 测试样机 | |
耐焊性 | 260±5℃,10s 浸入深度3.0mm | 焊锡炉 | |
密封 | 133.3帕,1分钟 | 真空泵 | 无气泡产生 |
图1 探测器外形尺寸示意图
黑体与探测器样品距离:200mm
放大电路增益:72.5的dB
图2 测试机示意图
VA\VB测定用 VAB测定用 噪声测定用
图3 探测器测定方法示意图
Tx 輸出延遲時間大約值
C6=1000p | C6=0.01u | ||||
R10 | FTX | Tx | R10 | FTX | Tx |
1M | 1.8KHz | 27.4秒 | 100K | 1.8KHz | 27.4秒 |
100K | 16.9KHz | 2.94秒 | 10K | 12.7KHz | 3.86秒 |
10K | 116KHz | 0.41秒 | 1K | 48.4KHz | 1.5秒 |
Ti 輸出封鎖時間大約值
R9 | C7 | FTi | Ti |
1M | 0.01u | 189Hz | 0.48秒 |
1M | 0.1u | 15.8Hz | 3.1秒 |
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