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安科半导体科技有限公司
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FZ1200R12KE3，可控硅，infineon , eupec 。
infineon FZ1200R12KE3, eupec FZ1200R12KE3,图片。
> H桥(4单元)
产品型号 参数说明 封装形式
F4-30R06W1E3 30A , 600V , IGBT3 EasyPACK 1B
F4-50R06W1E3 50A , 600V , IGBT3 EasyPACK 1B
F4-75R06W1E3 75A , 600V , IGBT3 EasyPACK 1B
图片PDF中文资料，datasheet详细参数，中文参数，操作方案，进口*现货价格，产品库存状况。（如有需要 敬请“安科半导体"，可提供）
infineon IGBT单管,EUPEC IGBT单管, 英飞陵IGBT单管, EUPEC IGBT单管,电磁炉用IGBT,IKP IGBT,IHW系列：
高频600V硬开关频率fK≤150KHZ；
快速1200V硬开关频率fK≤50KHZ；
低饱和压降600V硬开关频率fK≤50KHZ；
低饱和压降1200V硬开关频率fK≤20KHZ；
600V系列IGBT模块，1200V系列IGBT模块，1600V系列IGBT模块，1700V系列IGBT模块，3300V系列IGBT模块 ，6500V系列IGBT模块：
DN2系列：频率范围10KHZ-20KHZ，饱和压降：2.5V-3.1V；
DN2系列：频率范围4KHZ-8KHZ，饱和压降：2.1V-2.4V；
KS4系列：频率范围15KHZ-30KHZ，饱和压降：3.2V-3.85V；
KE3系列：频率范围4KHZ-10KHZ，饱和压降：1.7V-2.0V；
KT3系列：频率范围8KHZ-15KHZ，饱和压降：1.7V-1.9V；
，可控硅，infineon , eupec 。
FZ1200R17KE3，可控硅FZ1200R17KE3，infineon FZ1200R17KE3, eupec FZ1200R17KE3。
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