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北京晨悦浩祥科技有限公司


ES3000 NVMe SSD卡

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更新时间:2023-04-03 17:07:15浏览次数:530次

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产品简介

ES3000NVMeSSD卡采用华为自研Hi1812SSD控制器芯片、PCIe3.0x4接口、遵从NVMe1.2标准的半高半长PCIe卡形态高性能固态硬盘,安装在服务器PCIe槽位,支持现有服务器性能升级,大幅提升数据库、云服务、虚拟化、分布式存储、大数据等业务应用性能,帮助客户降低系统TCO

详细介绍

ES3000 NVMe SSD卡采用华为自研Hi1812 SSD控制器芯片、PCIe 3.0 x4接口、遵从NVMe 1.2标准的半高半长PCIe卡形态高性能固态硬盘,安装在服务器PCIe槽位,支持现有服务器性能升级,大幅提升数据库、云服务、虚拟化、分布式存储、大数据等业务应用性能,帮助客户降低系统TCO。

10倍TPS性能提升

全NVMe SSD数据库服务器替代传统FC阵列架构,数据库TPS性能提升10倍

5倍IO性能提升

云和分布式存储采用全NVMe SSD替代混合硬盘方案,系统IOPS性能提升5倍

实时分析速度提升40%

Spark平台采用NVMe SSD作为Shuffle数据存储,实时分析速度提升40%

技术规格

型号ES3600C V3ES3620C V3
形态半高半长卡半高半长卡
接口类型PCIe Gen 3.0 x4PCIe Gen 3.0 x4
NVMe标准NVMe 1.2NVMe 1.2
可用容量800GB/1.2/1.6/3.2TB6.4TB
顺序读/写带宽@1MB800GB:2.7/1.1GB/s
1.2TB:3.1/1.8GB/s
1.6TB:3.2/1.95GB/s
3.2TB:3.1/1.95GB/s
6.4TB:3.0/1.8GB/s
稳定随机读/写IOPS@4KB800GB:680k/100k
1.2TB:760k/160k
1.6TB:800k/175k
3.2TB:800k/170k
6.4TB:750k/40k
随机写IOPS@4KB800GB:275k
1.2TB:428k
1.6TB:464k
3.2TB:464k
6.4TB:200k
平均读/写时延@4KB88µs/18µs110µs/20µs
功耗7~22W7~25W
5年寿命*3 DWPD3 DWPD**
数据写入总量***800GB:4.38PBW
1.2TB:6.57PBW
1.6TB:8.76PBW
3.2TB:17.52PBW
6.4TB: 35.04 PBW

备注:规格如有更改,恕不另行通知。性能结果基于内部测试,可能因配置和系统差异而不同,包括产品容量、操作系统版本、测试工具等。

1、5年DWPD寿命*:驱动器每天全盘写入次数(DWPD,Disk Writes per Day),此压力下持续工作5年。

2、6.4TB容量“3 DWPD**”、“35.04PBW”的测试条件:8KB对齐、8KB数据块全随机写。

3、数据写入总量***:在4KB IO size和4KB对齐条件下、99%随机写的测试结果,计算公式:数据写入总量PBW=SSD容量 * DWPD * 365天 * 5年。

4、带宽性能测试标准:使用FIO工具在RHEL 7.0系统上用1线程512QD 1MB顺序读写的带宽。

5、IOPS性能测试标准:使用FIO工具在RHEL 7.0系统上用8线程64QD 4KB随机读写的IOPS。

6、平均时延测试标准:使用FIO工具在RHEL 7.0系统上用1线程1QD 4KB随机读写的平均时延。


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