40V N沟道 MOS

深圳市三佛科技有限公司 供应 40V N沟道 MOS，HN4004，原装，库存现货*

 品牌：HN

型号：HN4004 

VDS： 40V

IDS： 10A

封装： SOP8

沟道：N沟道

HN4004原装现货，HN4004优势*

HN4004广泛运用于电源，充电器，控制板上

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售后服务：公司免费提供HN4004样品，并提供HN4004产品运用的技术上支持。

 HN4004可替代：FKS4004，NCE4009S，NCE4012S，NCE4015S，NCE40ND0812S，AO4450，AO4480，AO4484，AP9465GEM，AP9466GM，AP9467AGM，AP9468GM，AP9470GM，AP9985GM。

【40V MOS N沟道/P沟道 *：】

HN4004 ：    40V   10A  SOP8          N沟道 MOS管

HN20P04  ： -40V  -20A  SOT-89 P沟道 MOS管

【30V MOS N/P沟道 *：】

HN3400：  30V  5.8A   SOT23        N沟道 MOS管

HN3401:     -30V -4.2A  SOT23       P沟道 MOS管

HN20N03： 30V  20A  SOT-89         N沟道 MOS管 

HN20N03DA：30V 20A TO-252   N沟道   MOS

HN10N03DA：30V 10A TO-252     N沟道 MOS管

HN85N03DA：30V 85A TO-252    N沟道 MOS管 

HN4435 ：      -30V  -9.1A   SOP8  P沟道  MOS管 

HN20P03 ： SOT-89  -30V -20A  P沟道 MOS管 

HN20P03 ： TO-252  -30V -20A  P沟道 MOS管 

HN16P03 ：-30V -16A  DFN3.3*3.3  P沟道 MOS管 

场效应管的检测步骤如下：

（1）首先观察待测场效应管外观，看待测场效应管是否完好，如果存在烧焦或针脚断裂等情况说明场效应管已发生损坏，如图1所示，本次待测的场效应管外型完好没有明显的物理损坏。

（2）待测场效应管外型完好没有明显损坏需进一步进行测量，用一小镊子夹住待测场效应管用热风焊台将待测场效应管焊下。

（3）将场效应管从主板中卸下后，须用小刻刀清洁待测场效应管的引脚，如图2所示。去除引脚上的污物，避免因油污的隔离作用影响测量时的准确性。

（4）清洁完成后，用小镊子对待侧场效应管进行放电避免残留电荷对检测的影响（场效应管极易存储电荷）

（5）选择数字万用表的 “二极管”挡

（6）将黑表笔接待测场效应管左边的*只引脚，用红表笔分别去测与另外两只引脚间的阻值，如图5所示。两次检测均为无穷大。