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我们的优势:*,价格优势,货源充足,*
产品型号:HC021N10L参数:100V35A ,类型:N沟道场效应管,内阻22mR,低结电容1880pF 封装:贴片(TO-252),低开启电压1.5V,低内阻,结电容小,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强
大电流100V35A结MOS管 N沟道场效应管
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HC012N10L优势替代HY1310D,替代HY1210D,替代CJU30N10
深圳市惠新晨电子有限公司一直保持与国内*的晶圆厂、封装厂及测试厂合作,对产品品质精益求精,力把品质关。为客户提供的不仅仅是的产品,还有完善的解决方案和优质的服务,相信客户会成为我们的伙伴并一起取得巨大的商业成功。本公司常年备有大量的现货库存,并接受订货服务。
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