LED防爆灯光源优势说明：
LED防爆灯与气体放电防爆灯工作原理一样，差别在于LED防爆灯更节能，更安全。LED防爆灯一般也是做隔爆型，但LED也是本安型防爆灯，只要将LED输入电源盒做隔爆，LED电源输出的是DC35V电压，一般根本产生不了电火花，LED芯片zui高温度只可能达到二百多度，一般不会引爆可燃气体，所以LED是本安型的防爆灯。隔爆型加本安型，LED防爆灯比气体放电防爆灯更安全。
LED防爆灯发光原理：
LED即发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接电能转化成光。LED的核心是一个半导体晶片，半导体晶片由两部分组成，一部风是P型半导体，在它里面空穴占主导位置，另一端是N型半导体，在这里面主要是电子，两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结，当电流通过导线作用于晶片时，电子就会被推向P区，在P区里电子根空穴复合，就会以光子的形式发出可见光。
发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光。
假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。
理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即
λ≈1240/Eg（mm）
式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。
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