氧化铟锡
中文名称：氧化铟锡[1]
英文名称：Indium tin oxide 氧化铟锡
英文别名：stannic; indium（+3） cation; oxygen（-2） anion
CAS号：50926-11-9
分子式：In2O5Sn
分子量：428.343
氧化铟锡（ITO）是一种n 型宽禁带半导体（ Eg= 3.5eV ），禁带宽度值对应的波数为2.8×104 cm-1，对应的波长为365nm，处于紫外线的范围内。
铟锡氧化物在许多方面得到应用，如电学材料、透明电极材料、太阳能电池材料、电致发光材料等，特别是铟锡氧化物纳米晶体粉末在屏幕显示技术方面有着广泛的应用。由ITO粉末制成的ITO靶材及其ITO导电膜在低压钠灯、建筑玻璃、炉门及冷冻食品显示器等中起着红外发射作用，在飞机、火车、汽车挡风玻璃等方面用做防冻剂，尤其是可用于视频装置、液晶显示及高清晰荧光屏。液晶生产厂家认为ITO是所需特性均能得到满足的材料，暂时还无其他材料可以取代。目前，世界发达国家如美国、法国、日本等将一半左右的铟用于制备ITO材料。因此，研究ITO超细粉体的制备具有重要的意义。
氧化铟锡的技术指标：
1、纯度≥99.99%；
2、In2O3 质量含量为90.0±0.5%，SnO2 质量含量为10.0±0.5%；
3、粒度5～80nm，BET 比表面积20～50m2/g，近球形。
