西岱尔CITEL 3+1电源防雷器

[DS252VG-400] 西岱尔CITEL 3+1电源防雷器
type 1+2+3复合型电源电涌保护器
VG产品无续流，无漏流，超长的使用使命
低残压，可直接保护终端设备，提高 TOV特性
内置热脱扣机构，故障显示，遥信告警

电涌保护设备

电涌保护器（或被称为SPD；这是对过电压电涌保护设备的统称，是被广泛认可有效的过电压保护设备。但为了发挥大功效，必须根据风险等级进行选择，并按照相应标准安装。

CITEL西岱尔Type 1+2+3复合型浪涌保护器，DS254VG-400/G，VG系列产品无续流，无漏流，超长的使用寿命，低残压，可直接保护终端设备，提高TOV特性，内置热脱扣机构，故障显示，遥信告警，符合IEC等标准

参照标准

 

由于瞬态过电压的多样性和重要性，标准组织针对设备上的过电压效应制定了测试规范。

先对该现象进行描述，然后创建了一系列的标准化波形 1.2/50us 电压波和8/20us以及10/350us电流波形，随后发布了明确电涌保护器性能的若干标准，包括

低压电力系统SPD

SPD工作原理及标准要求

[DS252VG-400]   西岱尔CITEL 3+1电源防雷器

type 1+2+3复合型电源电涌保护器

VG产品无续流，无漏流，超长的使用使命

低残压，可直接保护终端设备，提高 TOV特性

内置热脱扣机构，故障显示，遥信告警

 

[DS252VG-400]   西岱尔CITEL 3+1电源防雷器 技术参数

type 1+2+3复合型电源电涌保护器
VG产品无续流，无漏流，超长的使用使命
低残压，可直接保护终端设备，提高 TOV特性
内置热脱扣机构，故障显示，遥信告警
技术参数表
CITEL型号	DS250VG-400	DS250VG-300	DS250VG-120
交流工作电压Un	230/400v	230/400v	120/208v
保护模式	L-N或L/N-PE
供电系统	IT,TT,TN	TT,TN	TT,TN
大持续工作电压Uc	440Vac	255Vac	150Vac
暂态过电压TOV-5s Ut	580Vac	335Vac	180Vac
暂态过电压TOV-120min	770Vac	440Vac	230Vac
漏电流 Ipe	无	无	无
续流 It	无	无	无
标称放电电流（8/20us)	30kA	30kA	30kA
大放电电流（8/20us)	70kA	70kA	70kA
冲击电流（10/350us)	25kA
比能量 W/R	156KJ/ohm
复合波测试3级测试  Uoc	20Kv
电压保护水平 Up	1.1kv
电压保护水平（6KV-1.2/50us)	1.5KV
短路耐受电流	50KA
保护装置
热脱扣装置	内置
熔断器	Gg-315Amax
接地故障断路器	S 型或延迟型
机械特性
产品尺寸	如图
接线方式	螺纹端子6-35mm2
正常/故障显示	无色/红色
安装方式	35mm导轨安装
工作温度范围	-125
外壳材料	热塑性材料 符合UL94-VO

 

 

重点说明，请仔细阅读 价格都是随意写的，不是真实价格，请勿直拍，对产品感兴趣的，请一定要及时找相关业务员！

重点说明，请仔细阅读 价格都是随意写的，不是真实价格，请勿直拍，对产品感兴趣的，请一定要及时找相关业务员！

重点说明，请仔细阅读 价格都是随意写的，不是真实价格，对产品感兴趣的，请一定要及时找相关业务员！​

因产品均为实物拍摄，故所有图片，看着都不太清楚，或有些产品型号与实际型号对不上，请不用担心，我们有更，更清楚的各类产品资料及图片，如果对产品感兴趣，请一定要先找相关业务员，索求zui完整的资料

因产品均为实物拍摄，故所有图片，看着都不太清楚，或有些产品型号与实际型号对不上，请不用担心，我们有更，更清楚的各类产品资料及图片，如果对产品感兴趣，请一定要先找相关业务员，索求zui完整的资料

因产品均为实物拍摄，故所有图片，看着都不太清楚，或有些产品型号与实际型号对不上，请不用担心，我们有更，更清楚的各类产品资料及图片，如果对产品感兴趣，请一定要先找相关业务员，索求zui完整的资料。

 NEMP现象（核电磁脉冲）

大气上方的高空核爆将产生一个强烈的电磁场，在10ns内zui高达到50kV/m,其辐射地面半径1200km的地面。

此情况下，地面上该区域的输电线路，天线等产生极大的瞬态过压，并摧毁终端设备（电源电路，计算机终端，dianhua设备等

电场强度上升速度可达数千伏每微秒。虽然难以消除由电磁脉冲引起的所有过压,担扔有若干方法可以使其降低并强化对系统设备的保护。尽管有振幅现象，仍可通过对NEMP采取屏蔽，滤波，电涌保护以实现防护

 

过电压效应

过电压对电子设备有着各种各样的影响，其严重重度按从大到小排列如下：

损坏

高压击穿PN结

元器件连接处损坏

印刷电路析铜箔或触点损坏

DV/DT使双向可控硅运行失常