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当前位置:东莞市惠海半导体有限公司>>电子元器件>>MOS管>> HC3600M30V 60V100VMOS管选型表 N沟道场效应管

30V 60V100VMOS管选型表 N沟道场效应管

参   考   价: 76.1

订  货  量: ≥1000  pcs

具体成交价以合同协议为准

产品型号HC3600M

品       牌惠海半导体

厂商性质生产商

所  在  地东莞市

更新时间:2020-07-16 09:40:13浏览次数:375次

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产品用途 加湿器MOS管
方案资料+技术跟进+DEMO板 免费提供技术跟进,帮忙画板改板服务,欢迎留言
30V 60V100VMOS管选型表 N沟道场效应管

东莞市惠海半导体有限公司【中低压MOS管厂家】,供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 *,质优价廉 大量现货 量大价优 欢迎选购,低内阻,结电容小,采用SGT工艺,性能优越

30V 60V100VMOS管选型表 N沟道场效应管

30V 60V100VMOS管选型表 N沟道场效应管

主营SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等封装

产品型号:HC3600M 参数:30V8A,类型:N沟道场效应管,内阻130mR,  封装:贴片(SOT23-3),低开启电压1.5V,低内阻,结电容小,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强,可用于各类的照明、太阳能电源 电子雾化器、香薰机、加湿器等开关型应用

15N06 20N06 25N06 30N06 35N06 40N06 50N06 MOS管

 备注:惠海半导体支持根据您的要求定制您自己的LOGO及定制白板出货

更多型号如下:

型号:HG160N10LS N沟道场效应管,丝印HC310,100V3A 3N10 SOT23-3封装,内阻200mR   SGT工艺

型号:HG021N10L   N沟道场效应管   丝印   HG25N10  100V25A   T0-252封装 内阻25mR   SGT工艺

型号:HC160N10LS N沟道场应管  丝印HC510    100V5A (5N10)SOT23-3封装,内阻155mR,可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪

型号;  HC085N10L   N沟道场效应管                      100V15A SOT89  封装,内阻70mR,可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪

型号:HC160N10L    N沟道场效应管 100V10A(10N10)  TO-252封装,内阻145mR,可用于雾化器、车灯电源等

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