K4B2G1646F 三星FLASH存储IC DDR3缓存芯片

K4B2G1646F 三星FLASH存储IC DDR3缓存芯片
制造商IC编号K4B2G1646F-BCMA
厂牌SAMSUNG/三星
IC 类别DDR3 SDRAM
IC代码128MX16 DDR3
脚位/封装FBGA-96
外包装TRAY
无铅/环保无铅/环保
电压（伏）1.5 V
温度规格Commercial （0°C – 95°C）
速度DDR3-1866（13-13

制造商IC编号	K4B2G1646F-BCMA
厂牌	SAMSUNG/三星
IC 类别	DDR3 SDRAM
IC代码	128MX16 DDR3
脚位/封装	FBGA-96
外包装	TRAY
无铅/环保	无铅/环保
电压(伏)	1.5 V
温度规格	Commercial (0°C – 95°C)
速度	DDR3-1866(13-13-13)4
标准包装数量	1120
标准外箱	*
数量	20000
Number Of Words	128M
Density	2G
Power	Normal Power
Internal Banks	8 Banks
Generation	7th Generation

 

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