静电放电(ESD)问题属于电磁兼容(EMC) 领域的一个分支，它和雷电、强电磁脉冲(EMP)、开关操作引起的电磁脉冲密切相关。在实际工作中，应注意它们的相互关系和各自特点，这样才能正确分析微电子失效的原因。静电有很多效应，这些效应会对微电子产生诸多不良影响。静电吸附尘埃对微电子生产的不良影响物体在产生静电后，会在其周围形成静电场。位于静电场中的任何其他带电体都会受到电场力排斥或吸引。点电荷之间的电场力可用式(1-2)表示:式中F-电场力(N);
电荷量两个点电荷之间的距离(m);介电常数。当两种物体所带电荷极性不同时，物体之间产生吸引。当电荷极性相同时，物体之间立生排斥。实验表明，一般绝缘体或电介质带静电后， 每平方厘米静电力仅几至数百毫克。这样小的力对重物毫无作用，但对质量仅为几毫克或更低的毛发、纸片、尘埃、纤维的吸付作用则非常明显。静电吸附尘埃对微电子生产业影响很大，在现代大规模集成电路(LSI)产中，芯片的线间距非常微小。如果其产生静电则对几到几十微米的尘埃吸附作用明显。颗直径几微米尘埃吸附在芯片上，即可造成几十根芯线之间的绝缘强度降低，使芯片漏流增大，使用寿命缩短，甚至很快造成短路使芯片损坏。
由于静电吸附灰尘，特别是光电器件(CCD、LED、光电电池等)，其转换效率会大大降低。如1-10所示为尘埃度与IC芯片间距的比较。酸、碱、硅等微粒子吸附在芯片上，还可造成芯片腐蚀。手大规模集成电路发展初期，较高的不良品率和生产环境、用品洁净度达不到相关要求相关。导体)。放电腊最可以达到十儿毫焦耳以上。
人体静电放电瞬间的电流峰值可以达儿安填以上.而设备、金属导体之间的瞬间静电放电电流峰值可达儿↑安培，峰值功率达倒数百院，其辐射电场的额率在儿百赫赖至数吉赫鼓。静电放电引起的电磁辐射大都属1近场脉冲辐射。雷电属于宏观静电放电，其放电电流可达数万安培，能量达数干焦耳以上。电场扰酒离和强度与波阳抗乙有关。在近场辐射时Z是个变量。当远场辐射时，甲辐射距离大于无/6时，电场强度E、磁场强度H、波阻抗之间关系符合ESD不同于周期性的脉冲，它是非周期性脉冲，它的频谱能量分布是连续的，所以它既可干扰宽带设备，又可干扰窄带设备。
对电子通信仪器、信息化系统、医疗监护系统等产生的电磁干扰，使逻辑电路产生错误的翻转效应。能量较大的放电产生的电磁脉(EMP)，像雷电等可造成飞器、通信系统联络中断，使其不能正常工作，甚至造成电子设备损坏。这种效应是造成电子仪器设备不能稳定工作和失效的重要原因之一。
静电噪声静电噪声是不同于静电脉冲的种电磁干扰， 它可以是宽频的高、低不同的连续杂波，通信统、测量仪器、医疗监护小信号系统造成干扰。例如，人在穿着化纤服装连续活时进行动态心电图测量，由于人体与服装的摩擦产生静电噪声，通过的电极耦会对心电图示波器图像造成很大干扰。静电放电 导致微电子失效模式
微电子元器件的静电损伤，大体上可分为两类失效模式:突发性*失效和潜在性缓效。元器件突发性*失效占10%左右，潜在性缓慢失效占90%左右。突发性*失效区发性*失效是元器件的个或多个电参数突然劣化，*失去规定功能的一种失常表现为开路、短路及电参数严重漂移。一种是与电压相关的失效，如介质击穿、向漏电增大、铝条损伤等;另一种是与功率(电流)有关的失效，如铝条熔断、多容断、硅片局部区域熔化等。对于结型器件，通常与功率有关的热效应引起元器件员伤部位往往在pn结边缘的Si-SiO2界面或接触孔边缘发生。
在ESD引起的局部高成杂质微扩散，形成的杂质管道致pn结严重漏电和电流增益显著下降。.肖特基器件和浅结器件，静电损伤都集中在势垒区边缘的Si-SiO2界面处，该处电过电流形成热斑，热斑的不稳定导致器件失效，其失效模式*类似热致二次击部位往往集中在结区边缘。;电路失效主要表现在输入端铝互连线与输入保护电阻周围N保护环之间的介输入对地保护二极管的P结击穿;扩散保护电阻的寄生pn结损伤;多晶保护当损伤严重时，输入端金属化互连线烧熔。对于铝栅器件，ESD引起界面反应，铝穿透SiO2并造成栅极漏电甚至短路。os电容器作为补偿的运算放大器，往往表现为过电压引起电容器的薄氧化层
