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DV 1000 LEM 中低压测量电压传感器

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产品型号DV 1200/SP2

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更新时间：2018-07-13 19:46:13浏览次数：684次

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产品简介

用于工业和铁路领域的中低压测量电压传感器
主要特征:
• 紧凑的封装设计
• 测量范围广泛
• 电压测量范围由1200 至4200 Vrms
• 突出的隔离能力：18.5 KVrms / 50 Hz / 1 min
• 优秀的局部放电水平（RMS 7KV@10PC）
• 总精度高
o +/- 0.4% of Vpn at + 25°C
o +/- 1.2% of Vpn

详细介绍

功能:
• 原边与副边之间是绝缘的，主要用于直流、交流和脉冲电压测量
• 电源电压：+/- 13,5 ...26,4 V
• 环境操作温度：-40°C to +85°C
• 无论对于原边还是副边，都有多种连接方式可供选择（连接器、屏蔽电缆、螺钉……）
• 标准输出为电流信号（一经要求，电压、PWM、数字式以及其它输出方式均可考虑）
符合标准:
• EN50155，铁路应用:
o 机车主、辅牵引变流器测量
o 机车电能表输入信号
o 机车断路器电压测量
o 牵引供电站
o 同样适用于工业领域应用

LEM研发的解决方案是一种双轴磁通门闭环传感器，即的HPCT，将其工作原理与应用更普遍的霍尔效应技术相比，这种可能更有用。

　　霍尔效应于1879年由美国物理学家Edwin Herbert Hall 发现，那时他就读于位于巴尔的摩的John Hopkins 大学。霍尔效应由对穿过磁通密度的运动电荷起作用的洛伦兹力产生，F=q.（VXB）。向磁场中非常薄的半导体箔片施加一个控制电流。控制电流的运动载流子在外磁通密度B产生的洛伦兹力的作用下发生垂直于电流方向的偏移。这种偏移导致更多的载流子在导体的一端聚集，从而在导体两端形成一个电势差，这就是霍尔电压。

　　霍尔效应的某些元素与温度相关，尤其是霍尔元件的霍尔系数以及失调电压。因此，任何采用霍尔效应的电流传感器都必须提供温度补偿。

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