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深圳市英锐恩科技有限公司
EN8F677E 是8 位的基于EPROM 工艺,*静态CMOS 技术设计,
集高速、体积小、低功耗和抗高噪声一体的芯片。内存包括2K 字
节EPROM 、256 字节EEPROM 和256 字节静态RAM。
EN8F677E 是8 位的基于EPROM 工艺,*静态CMOS 技术设计,
集高速、体积小、低功耗和抗高噪声一体的芯片。内存包括2K 字
节EPROM 、256 字节EEPROM 和256 字节静态RAM。 二、特征:
全静态CMOS 设计
8 位数据总线
片上FLASH ROM 大小: 2.0 K
内部RAM 大小: 256 字节
内部EEPROM 大小: 256 字节
37 单字节指令
14-位指令宽度
8 级堆栈
工作电压: 2.5 V ~ 5.5 V (PEDH 关)
4.5 V ~ 5.5 V (PEDH 开)
工作频率: DC ~ 20 MHz
间接和直接寻址模式
上电复位
电源边沿检测复位
掉电睡眠模式SLEEP
捕捉/比较/PWM 模块 三、应用:马达控制,遥控、玩具,电源、充电设备,消费电子周边,
安防报警,汽车电子等
深圳市英锐恩科技有限公司创立于2008年,专注为
用户提供稳定可靠的集成电路,单片机及芯片解决方案
的设计定制,智能电子产品方案的应用开发与设计;同
时为客户提供技术辅导,研发支援服务。
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