LN5S21： AC/DC 开关电源同步整流控制IC

LN5S21是一颗内置MOSFET的高性能的开关电源次级侧同步整流功率开关集成电路，

可以方便地在应用中构建满足 CoC V5 及 DoE 2016 等 6 级能效的 5~20V电压范围2.5A电流级别的快速充电开关电源系统，

是性能优异的理想二极管整流器解决方案。

芯片内置了*的TrueWaveTM全时波形追踪技术，可支持高达 150kHz 的开关频率应用，并且支持 CCM/CrM/DCM 等各种开关电源工作模式应用，

可在开关电源的每一个波形转换的边沿自动快速打开或关闭内部的 Low RdsON MOSFET 器件，

利用其极低的导通压降实现远小于诸如肖特基二极管的导通损耗，极大提高了系统的转换效率， 大幅降低了整流器件的温度，

可方便地实现*转换效率的低压大电流的开关电源应用。

芯片内置耐压高达 105V 的 NMOSFET 同步整流功率开关，且具有极低的内阻，典型 RdsON 低至15mΩ，

可提供系统达 2.5A 电流输出能力， 获得优异的转换效能，大幅提高转换效率。

芯片还内置了高压直接检测技术，检测端子耐压高达 105V，配合高达 40V 的供电电压范围，

使得控制器可直接使用从变压器端子上获得的正反激能量进行供电操作，

从而通过简单的方式得到更佳的导通电阻性能并允许输出电压下降到很低的值。

高集成度的电路设计使得芯片外围电路极其简单，在 5V/9V/15V/20V 快充应用中，

仅需一颗电容器件即可构建一个完整的同步整流应用。

可提供满足 RoHs 要求的SOP8封装。
主要特点：
内置 TrueWaveTM 实时波形追踪技术
5V/9V/15V/20V 超宽范围同步整流
支持开关电源 CCM/CrM/DCM 模式
内置 NMOSFET VDS 耐压高达 105V
内置 NMOSFET RdsON 低至 15mΩ
比传统二极管整流效率提高 3~6%
极宽的工作电压范围 4V 至 40V
允许使用简单的正反激整流方式供电
也可 5V 直接供电或由辅助绕组供电
无开关时静态工作电流可低至 0.2mA
支持开关电源频率至 150kHz
至简外围简应用无需任何外部器件
合理脚位布局的标准 SOP8 封装形式
应用领域:
5V2.4A~12V2.5A 充电器

高效率适配器