TD3424耐高压mos应用于车充

本公司从事电源IC封装生产10年，专业车充IC ,旅充IC,USB智能识别IC,快充IC,MUC单片机程序开发！NCE4012s采用的沟槽技术和设计,提供优良的RDS（ON）与低栅极电荷。它
可用于各种各样的应用。TD3424耐高压mos应用于车充

新洁能贴片mos管车充IC一般特征
●VDS = 40V，ID = 12a
RDS（ON）< 12m�6�8@ VGS = 10v（典型值。8.4米�6�8）
RDS（ON）< 18m�6�8@ VGS = 4.5v（典型值。12.3米�6�8）
●高密度电池设计超低导通电阻
●*表征雪崩电压和电流
●稳定性好，均匀度高，TD3424耐高压mos应用于车充
●优良的封装散热性好
高ESD能力●特殊工艺技术
新洁能贴片mos管车充IC应用
●负载开关
●硬开关和高频电路
●不间断电源

具体规格如下：

N沟道增强型MOSFET TDM3424
说明
该TDM3424采用的沟道技术
提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这
设备是适合用作负载开关或以PWM
应用。
一般功能
RDS（ON）<32mΩ@ VGS=4.5V
RDS（ON）<23mΩ@ VGS=10V
高功率和电流移交能力
无铅产品被收购
表面贴装封装
应用
PWM应用
负荷开关
电源管理