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东莞惠海半导体有限公司
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LED驱动电源100V35A场效应管 替代ST18N10D
供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 *，质优价廉 大量现货 量大价优 欢迎选购，低内阻，结电容小，采用沟槽工艺，性能优越
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产品型号：HC021N10L参数：100V35A ，类型：N沟道场效应管，内阻22mR，低结电容1880pF 封装：贴片（TO-252），低开启电压1.5V，低内阻，结电容小,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强
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HC012N10L优势替代HY1310D，替代HY1210D，替代CJU30N10
深圳市惠新晨电子有限公司
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