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低开启电压LED驱动电源100V10A贴片MOS管

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具体成交价以合同协议为准

产品型号HC160N10L

品       牌

厂商性质生产商

所  在  地深圳市

更新时间:2020-02-27 17:44:02浏览次数:1670次

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产品简介

低开启电压LED驱动电源100V10A贴片MOS管
广泛应用于LED驱动电源、加湿器、雾化器、香薰机、安防监控等产品,高性价比,出货量大,稳定成熟

详细介绍

深圳惠新晨电子有限公司【中低压MOS管厂家】,供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 *,质优价廉 大量现货 量大价优 欢迎选购,低内阻,结电容小,采用沟槽工艺,性能优越

深圳市惠新晨电子有限公司专业20-150V系列中低压NMOS管场效应管封装制造、研发、生产、销售

主营SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等封装

 

产品型号:HC160N10L参数:100V10A ,类型:N沟道场效应管,内阻145mR,低结电容400pF,  封装:贴片(TO-252),低开启电压1.5V,低内阻,结电容小,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强,低内阻,低结电容,特别适合频率要求高、对CISS结电容要求特别高的高频雾化器、香薰机、加湿器等产品

 

HC160N10L广泛应用于LED驱动电源、加湿器、雾化器、香薰机、安防监控等产品,高性价比比,出货量大,稳定成熟HC160N10L丝印

低开启电压LED驱动电源100V10A贴片MOS管

低开启电压LED驱动电源100V10A贴片MOS管

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MOS管广告主页图


工厂规模:
封装厂图1
封装厂图

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可靠性测试及品质把控:
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封装及测试流程:

 

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公司库存实力展示:

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多型号如下:

型号:HC240N10LS N沟道场效应管,丝印HC310,100V3A 3N10 SOT23-3封装,内阻200mR 

型号:HC160N10LS N沟道场效应管  丝印HC510    100V5A (5N10)SOT23-3封装,内阻155mR,可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪

型号:HC610            N沟道场效应管    100V6A  6N10  SOT23-3L     内阻80mR

型号:HC160N10L    N沟道场效应管 100V10A(10N10)  TO-252封装,内阻145mR,可用于雾化器、车灯电源等

型号:HC080N10L    N沟道场效应管  100V17A(17N10)TO-252封装, 内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等

型号:HC021N10L    N沟道场效应管    100V35A (35N10)TO-252封装 内阻22mR,可用于工控电源

型号:HC080N10LS  N沟道场效应管   100V15A SOP-8封装                内阻68mR

型号:HC15N10       N沟道场效应管   100V15A(15N10)TO-252封装,  内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等

型号:HC012N06L    N沟道场效应管   60V50A(50N06 )TO-252封装,   内阻12mR,汽车灯电源、电机驱动、控制器等

型号:HC012N06LS  N沟道场效应管 55V12A  SOP-8封装                   内阻13mR

型号:HC037N06L    N沟道场效应管  60V30A(30N06)TO-252封装,     内阻30mR,可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪

型号:HC037N06LS  N沟道场效应管  60V30A     SOP-8封装                 内阻30mR

型号:HC080N06L    N沟道场效应管  60V17A 15N06 TO-252封装,      内阻70mR

型号:HC080N06LS   N沟道场效应管 丝印HC606  60V6A     SOT23-3封封装           内阻90mR

型号:HC706           N沟道场效应管  60V7A  SOP-8封装                             内阻80mR

型号:HC020N03L    N沟道场效应管  30V30A TO-252                         内阻20mR

型号:HC3600M       N沟道场效应管  30V8A       SOT23-3封装             内阻22mR

型号:HC3400M       N沟道场效应管  30V5.8A    SOT23-3封装             内阻30mR

型号太多,无法一一列出来,具体可以上惠新晨电子网看或者与我们网上业务员沟通,给您带来不便敬请谅解,谢谢

 

     MOS管驱动

      跟双性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需要速度。
      在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时*要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
      第二注意的是,普遍用于驱动的NMOS,导通时需要是栅电压大于源电压。而驱动的MOS管导通时源电压与漏电压(VCC)相同,所以这时栅电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

      上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。现在也有导通电压小的MOS管用在不同的领域里,但在12V汽车电子系统里,一般4V导通就够用了。

      MOS管的驱动电路及其损失,可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。讲述得很详细,所以不打算多写了。

      MOS管应用电路

      MOS管较显著的特性是开关特性好,所以被广泛应用在需要电子开关的电路中,常见的如开关电源和马达驱动,也有照明调光。

 

惠新晨电子专业中低压MOS管行业10年,经验丰富,实力雄厚可以做月结30天,惠新晨电子是您值得信赖合作的实力中低压MOS场效应管供应商

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