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东莞惠海半导体有限公司


当前位置:东莞惠海半导体有限公司>技术文章>*12N06 12A60V SOP-8贴片场效应管N沟道MOS管

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技术文章

*12N06 12A60V SOP-8贴片场效应管N沟道MOS管

阅读:858发布时间:2018-7-20

 

型号:HC012N06LS参数:60V12A ,类型:N沟道场效应管,内阻16mR,低结电容1030pF  封装:贴片(SOP-8),低开启电压1.5V,低内阻,低结电容,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强

HC012N06LS优势替代HY1904S,替代HY1104S,替代HY1404S,替代CJQ4438 替代NCE6012AS ,替代AO4264, 替代IRF7855TRPBF,替代HY1106S












 

 

型号:HC012N06LS参数:60V12A ,类型:N沟道场效应管,内阻16mR,低结电容1030pF  封装:贴片(SOP-8),低开启电压1.5V,低内阻,低结电容,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强

HC012N06LS优势替代HY1904S,替代HY1104S,替代HY1404S,替代CJQ4438 替代NCE6012AS ,替代AO4264, 替代IRF7855TRPBF,替代HY1106S












 

 


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