【中国安防展览网 企业关注】 国家高度重视存储器发展，地方政府与产业巨头联手共谋已成为存储器产业发展的新模式；在积极进行基础产业布局的同时，鼓励创新企业“弯道超车”应是当前我国存储器发展的战略，以市场换技术则是不错的战术。据介绍，国家存储器基地项目由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设。以芯片制造环节为突破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体，建成后，还将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展。
总投资240亿美元的国家存储器基地项目近日在武汉东湖高新区正式开工。2020年全面建成后，年产值将超过100亿美元，实现我国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破。
此次开工的国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城，将建设3座单座洁净面积大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。项目一期计划2018年建成投产，2020年完成整个项目，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。
据介绍，国家存储器基地项目由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设。以芯片制造环节为突破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体，建成后，还将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展。
存储器是信息系统的基础核心芯片，能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺，同时也是我国进口金额大的集成电路产品。
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